質量分析計及び質量分析方法

专利摘要:
ガス電子増幅イオン検出器を備える質量分析計を開示する。イオン検出器は、３段構造のガス電子増幅段ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３を備え、対向電極（１２）が第１の電子増幅段ＧＥＭ１に隣接して配置される。
公开号:JP2011505656A
申请号:JP2010535454
申请日:2008-12-01
公开日:2011-02-24
发明作者:プリングル・スティーブン・デレク
申请人:マイクロマス・ユーケイ・リミテッドＭｉｃｒｏｍａｓｓ Ｕｋ Ｌｉｍｉｔｅｄ；
IPC主号:H01J49-06

专利说明:

[0001] 本発明は、質量分析計又はイオン移動度分光計の検出システムで用いられるガス電子増幅イオン検出器に関する。本発明は、また、イオンの検出方法並びに質量分析方法に関する。]
背景技術

[0002] イオン化放射検出用のガス電子なだれ増幅器が知られており、ガス電子増幅（Ｇａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ：ＧＥＭ）検出器とも称される。ガス電子増幅検出器は、マルチワイヤー比例計数管やマイクロパターン化検出器等の従来の検出器に比べて、大幅に改善されている。周知のガス電子増幅検出器の利点としては、さまざまな形状に成形可能であることが挙げられる。また、空間的情報が容易に得られ、複数段を積層することにより、ゲインを著しく増大させた低コストの検出器が製造可能である。]
[0003] 周知のように、いわゆる３段ＧＥＭ構成において、ガス電子増幅器が用いられている。中分解能（ｍｍ以下）での高エネルギー粒子放射検出および追跡を含む高エネルギー物理実験に検出器が利用されている。ガス電子増幅器は、さらに、リングイメージング・チェレンコフ（Ｒｉｎｇ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｃｈｅｒｅｎｋｏｖ：ＲＩＣＨ）検出器等の単一光子イメージングにも用いられている。さらに、中分解能ベータ線、ガンマ線、Ｘ線、シンクロトロンおよび中性子イメージングにおけるガス電子増幅イオン検出器の使用も知られている。また、太陽ニュートリノおよびコヒーレントなニュートリノ散乱実験用の２相型高圧極低温検出器にも、ガス電子増幅器が用いられている。さらに、タイムプロジェクションチャンバ（Ｔｉｍｅ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｃｈａｍｂｅｒ：ＴＰＣ）でもガス電子増幅器が用いられている。]
[0004] 低エネルギー正イオンはガス電子増幅デバイスへの入射口ではね返されて検出されないため、ガス電子増幅検出器は、低エネルギーイオンの検出には用いられてこなかった。機器分析において対象となる被分析物イオンの大部分は正電荷を持つため、低エネルギー正イオンが検出可能な被分析物イオンの分析および検出用の機器が望まれている。]
[0005] 一様電場における気相イオンの微分型移動に基づき、低濃度の化学物質を検出および同定するイオン移動度分光計が知られている。イオン移動度分光計は、爆発物、薬物、化学兵器の現場検出にルーチンで用いられるツールとなっており、生物由来物質の分析、特に、プロテオミクスやメタボロミクスにおいて重要な役割を果たす研究ツールとして有用である。他にも、動作条件範囲内で動作可能な様々な形態のイオン移動度分光計が知られている。イオン移動度分光計は、大気圧から１ミリバールの何十分の一レベルまで広範囲な圧力レベルで用いられる場合がある。ファラデーカップ型又はファラデープレート型検出器は、比較的高い大気圧以下の圧力で動作可能なイオン検出器の一種であるため、イオン移動度分光計に組み込まれて検出器として用いられることが多い。これに対して、飛行時間型質量分析計で用いられるイオン検出器は高真空を必要とする。]
[0006] イオン移動度分光計を質量分析計（ＭＳ）と接続して、まずイオンをイオン移動度にしたがって分類した後、質量分析計又は質量分析器により質量を分析および検出する構成が知られている。従来の質量分析計で通常用いられている検出システムは、単一イオンイベントを検出するために大きなゲインを有し、たとえば、１０-5ミリバール以下の高真空（低圧）を必要とする。質量分析機器で用いられる周知のイオン検出器の例としては、電子増幅検出器（たとえば、多チャンネルプレートおよび単一チャンネル・チャネルトロン）や、シンチレーター又は蛍光物質と組み合わせた変換ダイノードや光子増倍管が挙げられる。]
[0007] 質量分析機器で用いられる検出器は、単一のイオンを検出可能である。ただし、高圧でイオン移動度分光計と組み合わせて用いられる、又は、高真空状態で質量分析計に組み込まれて用いられるファラデーカップ型検出器は、遮断性の高い固定型又は静止型機器において、最低１０００個のイオンを必要とする。携帯型又は可搬型の機器では、約１０4個以上のイオンが必要となる。これは、主に、高抵抗と関係する電子ノイズ、特に、ジョンソンノイズと、イオン信号を検出するためのノイズフリーの電子増幅器が存在しないことに起因している。]
[0008] ファラデーカップ型検出器は、高抵抗であり、システム内のキャパシタンスが不可避であるために、比較的応答が遅い。]
[0009] イオン移動度分光計又は質量分析計と共に利用可能なイオン検出器の改良が求められている。]
[0010] 本発明の一態様は、質量分析計であって、ガス電子増幅イオン検出器を備える。]
[0011] 質量分析計が、さらに、
（ａ）イオン検出器を（ｉ）１０００ミリバール未満の値、（ｉｉ）１００ミリバール未満の値、（ｉｉｉ）１０ミリバール未満の値、（ｉｖ）１ミリバール未満の値、（ｖ）０．１ミリバール未満の値、（ｖｉ）０．０１ミリバール未満の値、（ｖｉｉ）０．００１ミリバール未満の値、（ｖｉｉｉ）０．０００１ミリバール未満の値、（ｉｘ）０．００００１ミリバール未満の値、からなる群から選択される圧力に維持する、及び／又は、
（ｂ）イオン検出器を（ｉ）１０００ミリバールより大きい値、（ｉｉ）１００ミリバールより大きい値、（ｉｉｉ）１０ミリバールより大きい値、（ｉｖ）１ミリバールより大きい値、（ｖ）０．１ミリバールより大きい値、（ｖｉ）０．０１ミリバールより大きい値、（ｖｉｉ）０．００１ミリバールより大きい値、（ｖｉｉｉ）０．０００１ミリバールより大きい値、からなる群から選択される圧力における動作モードに維持する、及び／又は、
（ｃ）イオン検出器を（ｉ）０．０００１から０．００１ミリバールの範囲の値、（ｉｉ）０．００１から０．０１ミリバールの範囲の値、（ｉｉｉ）０．０１から０．１ミリバールの範囲の値、（ｉｖ）０．１から１ミリバールの範囲の値、（ｖ）１から１０ミリバールの範囲の値、（ｖｉ）１０から１００ミリバールの範囲の値、（ｖｉｉ）１００から１０００ミリバールの範囲の値、からなる群から選択される圧力における動作モードに維持する、
ように配置および構成されるデバイスを備える構成が望ましい。]
[0012] 望ましくは、イオン検出器が、（ｉ）１ｅＶ未満の値、（ｉｉ）１から５ｅＶの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０ｅＶの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５ｅＶの範囲の値、（ｖ）１５から２０ｅＶの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５ｅＶの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０ｅＶの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５ｅＶの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０ｅＶの範囲の値、（ｘ）４０から４５ｅＶの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０ｅＶの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５ｅＶの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０ｅＶの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５ｅＶの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０ｅＶの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５ｅＶの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０ｅＶの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５ｅＶの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０ｅＶの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００から１０５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）１０５から１１０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉｖ）１１０から１１５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｖ）１１５から１２０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｖｉ）１２０から１２５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）１２５から１３０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０から１３５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉｘ）１３５から１４０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘ）１４０から１４５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉ）１４５から１５０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）１５０から１５５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５から１６０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）１６０から１６５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｖ）１６５から１７０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｖｉ）１７０から１７５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５から１８０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０から１８５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉｘ）１８５から１９０ｅＶの範囲の値、（ｘｌ）１９０から１９５ｅＶの範囲の値、（ｘｌｉ）１９５から２００ｅＶの範囲の値、（ｘｌｉｉ）２００ｅＶより大きい値、からなる群から選択されるエネルギーを有するイオンを検出するように、配置および構成される。ｋｅＶからＭｅＶの範囲のエネルギーを有する粒子を検出可能に構成される従来の放射検出器と比べて、かなり低いレベルのエネルギーを検出可能なように構成されるイオン検出器が望ましい。]
[0013] イオン検出器は、望ましくは、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段を備える。一実施形態において、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段の上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、又は、９５から１００％が、
（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、
（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、
第１の表面層又は第１の被膜を備える。]
[0014] イオン検出器は、望ましくは、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段を備える。一実施形態において、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段の上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、又は、９５から１００％が、
（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、
（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、
第２の表面層又は第２の被膜を備える。]
[0015] イオン検出器は、望ましくは、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段を備える。一実施形態において、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段の上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、又は、９５から１００％が、
（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、
（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、
第３の表面層又は第３の被膜を備える。]
[0016] イオン検出器は、望ましくは、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段を備える。一実施形態において、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、又は、９５から１００％が、
（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、
（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、
第４の表面層又は第４の被膜を備える。]
[0017] 第１の表面層又は第１の被膜、及び／又は、第２の表面層又は第２の被膜、及び／又は、第３の表面層又は第３の被膜、及び／又は、第４の表面層又は第４の被膜は、望ましくは、（ｉ）ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と、（ｉｉ）テルル化セシウム（ＣｓＴｅ）と、（ｉｉｉ）αＣＨ：Ｎ、非晶質炭素、又は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）と、（ｉｖ）銅と、（ｖ）アルミニウムと、（ｖｉ）酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、（ｖｉｉ）フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）と、（ｖｉｉｉ）タングステンと、からなる群から選択される。]
[0018] 一実施形態において、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段、及び／又は、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段、及び／又は、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段、及び／又は、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段は、望ましくは、（ｉ）カプトン（ＲＴＭ）と、（ｉｉ）ポリテトラフルオロエチレンと、（ｉｉｉ）セラミックと、（ｉｖ）ガラスと、（ｖ）プラスチック材料と、（ｖｉ）絶縁材料と、（ｖｉｉ）ポリマーシートと、からなる群から選択される物質から形成される。各箔層を、プリント基板の製造に利用可能な同じ材料から、形成するようにしてもよい。]
[0019] 一実施形態において、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段、及び／又は、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段、及び／又は、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段、及び／又は、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段は、望ましくは、（ｉ）１μｍ未満の値、（ｉｉ）１から５μｍの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０μｍの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５μｍの範囲の値、（ｖ）１５から２０μｍの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５μｍの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０μｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５μｍの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０μｍの範囲の値、（ｘ）４０から４５μｍの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０μｍの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５μｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０μｍの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５μｍの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０μｍの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５μｍの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０μｍの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５μｍの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００から２００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）２００から３００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｖ）３００から４００μｍの範囲の値、（ｘｘｖ）４００から５００μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉ）５００から６００μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）６００から７００μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）７００から８００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｘ）８００から９００μｍの範囲の値、（ｘｘｘ）９００から１０００μｍの範囲の値、（ｘｘｘｉ）１から２ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）２から３ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）３から４ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）４から５ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｖ）５ｍｍより大きい値、からなる群から選択される厚みを有する。各箔層の好ましい厚みは約５０μｍであるが、ガス電子増幅段の少なくとも一段において、比較的厚い（たとえば、１ｍｍの厚みの）基板層を備えるような実施形態でもよい。]
[0020] 一実施形態において、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段、及び／又は、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段、及び／又は、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段、及び／又は、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面は、望ましくは、銅や他の金属又は導電性被膜又は層で被覆される。]
[0021] 一実施形態において、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段、及び／又は、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段、及び／又は、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段、及び／又は、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面は、望ましくは、（ｉ）１μｍ未満の値、（ｉｉ）１から５μｍの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０μｍの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５μｍの範囲の値、（ｖ）１５から２０μｍの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５μｍの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０μｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５μｍの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０μｍの範囲の値、（ｘ）４０から４５μｍの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０μｍの範囲の値、（ｘｉｉ）５０μｍより大きい値、からなる群から選択される厚みを有する銅や他の金属又は導電性被膜で被覆される。]
[0022] 一実施形態において、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段、及び／又は、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段、及び／又は、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段、及び／又は、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段は、望ましくは、（ｉ）１μｍ未満の値、（ｉｉ）１から５μｍの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０μｍの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５μｍの範囲の値、（ｖ）１５から２０μｍの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５μｍの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０μｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５μｍの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０μｍの範囲の値、（ｘ）４０から４５μｍの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０μｍの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５μｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０μｍの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５μｍの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０μｍの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５μｍの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０μｍの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５μｍの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００μｍより大きい値、からなる群から選択される最大直径及び／又は最小直径を有する複数の孔を備える。]
[0023] 第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段、及び／又は、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段、及び／又は、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段、及び／又は、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段は、望ましくは、管状、円錐形、バイコニカル（双円錐形）、又は凹型の溝を有する複数の孔を備える。]
[0024] 第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段、及び／又は、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段、及び／又は、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段、及び／又は、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段は、望ましくは、（ｉ）１μｍ未満の値、（ｉｉ）１から５μｍの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０μｍの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５μｍの範囲の値、（ｖ）１５から２０μｍの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５μｍの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０μｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５μｍの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０μｍの範囲の値、（ｘ）４０から４５μｍの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０μｍの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５μｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０μｍの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５μｍの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０μｍの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５μｍの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０μｍの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５μｍの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００から１１０μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）１１０から１２０μｍの範囲の値、（ｘｘｉｖ）１２０から１３０μｍの範囲の値、（ｘｘｖ）１３０から１４０μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉ）１４０から１５０μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）１５０から１６０μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）１６０から１７０μｍの範囲の値、（ｘｘｉｘ）１７０から１８０μｍの範囲の値、（ｘｘｘ）１８０から１９０μｍの範囲の値、（ｘｘｘｉ）１９０から２００μｍの範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）２００μｍより大きい値、からなる群から選択されるピッチを有する複数の孔を備える。]
[0025] 第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段の上面と下面との間で、望ましくは、電圧又は電位差が保持される。ここで、電圧又は電位差は、望ましくは、（ｉ）５０Ｖより小さい値、（ｉｉ）５０から１００Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１５０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）１５０から２００Ｖの範囲の値、（ｖ）２００から２５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）２５０から３００Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）３００から３５０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３５０から４００Ｖの範囲の値、（ｉｘ）４００から４５０Ｖの範囲の値、（ｘ）４５０から５００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）５００から５５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）５５０から６００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）６００から６５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）６５０から７００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）７００から７５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）７５０から８００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）８００から８５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８５０から９００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）９００から９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）９５０から１０００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される。]
[0026] 第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段の上面と下面との間で、望ましくは、電圧又は電位差が保持される。ここで、電圧又は電位差は、望ましくは、（ｉ）５０Ｖより小さい値、（ｉｉ）５０から１００Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１５０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）１５０から２００Ｖの範囲の値、（ｖ）２００から２５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）２５０から３００Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）３００から３５０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３５０から４００Ｖの範囲の値、（ｉｘ）４００から４５０Ｖの範囲の値、（ｘ）４５０から５００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）５００から５５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）５５０から６００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）６００から６５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）６５０から７００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）７００から７５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）７５０から８００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）８００から８５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８５０から９００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）９００から９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）９５０から１０００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される。]
[0027] 第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段の上面と下面との間で、望ましくは、電圧又は電位差が保持される。ここで、電圧又は電位差は、望ましくは、（ｉ）５０Ｖより小さい値、（ｉｉ）５０から１００Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１５０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）１５０から２００Ｖの範囲の値、（ｖ）２００から２５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）２５０から３００Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）３００から３５０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３５０から４００Ｖの範囲の値、（ｉｘ）４００から４５０Ｖの範囲の値、（ｘ）４５０から５００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）５００から５５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）５５０から６００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）６００から６５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）６５０から７００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）７００から７５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）７５０から８００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）８００から８５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８５０から９００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）９００から９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）９５０から１０００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される。]
[0028] 第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段の上面と下面との間で、望ましくは、電圧又は電位差が保持される。ここで、電圧又は電位差は、望ましくは、（ｉ）５０Ｖより小さい値、（ｉｉ）５０から１００Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１５０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）１５０から２００Ｖの範囲の値、（ｖ）２００から２５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）２５０から３００Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）３００から３５０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３５０から４００Ｖの範囲の値、（ｉｘ）４００から４５０Ｖの範囲の値、（ｘ）４５０から５００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）５００から５５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）５５０から６００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）６００から６５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）６５０から７００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）７００から７５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）７５０から８００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）８００から８５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８５０から９００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）９００から９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）９５０から１０００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される。]
[0029] 第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段における孔内に、及び／又は、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段における孔内に、及び／又は、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段における孔内に、及び／又は、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段における孔内に電界が保持される構成が望ましい。ここで、電界は、望ましくは、（ｉ）１０ｋＶ／ｃｍより小さい値、（ｉｉ）１０から２０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｉｉｉ）２０から３０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｉｖ）３０から４０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｖ）４０から５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｖｉ）５０から６０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｖｉｉ）６０から７０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）７０から８０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｉｘ）８０から９０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘ）９０から１００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉ）１００から１５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉｉ）１５０から２００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から２５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉｖ）２５０から３００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｖ）３００から３５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｖｉ）３５０から４００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）４００から４５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）４５０から５００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉｘ）５００ｋＶ／ｃｍより大きい値、からなる群から選択される。]
[0030] 第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段、及び／又は、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段、及び／又は、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段、及び／又は、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段の間の中心間距離が、望ましくは、（ｉ）０．２ｍｍより小さい値、（ｉｉ）０．２から０．４ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）０．４から０．６ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）０．６から０．８ｍｍの範囲の値、（ｖ）０．８から１．０ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）１．０から１．２ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）１．２から１．４ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．４から１．６ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）１．６から１．８ｍｍの範囲の値、（ｘ）１．８から２．０ｍｍの範囲の値、（ｘｉ）２．０から２．２ｍｍの範囲の値、（ｘｉｉ）２．２から２．４ｍｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）２．４から２．６ｍｍの範囲の値、（ｘｉｖ）２．６から２．８ｍｍの範囲の値、（ｘｖ）２．８から３．０ｍｍの範囲の値、（ｘｖｉ）３．０から３．２ｍｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）３．２から３．４ｍｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）３．４から３．６ｍｍの範囲の値、（ｘｉｘ）３．６から３．８ｍｍの範囲の値、（ｘｘ）３．８から４．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉ）４．０から４．２ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉｉ）４．２から４．４ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）４．４から４．６ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉｖ）４．６から４．８ｍｍの範囲の値、（ｘｘｖ）４．８から５．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｖｉ）５．０から６．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）６．０から７．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）７．０から８．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉｘ）８．０から９．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘ）９．０から１０．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｉ）１０．０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される。]
[0031] 第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段と、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段との間に電荷遮断メッシュ電極を備える構成が望ましい。]
[0032] 第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段と、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段との間に電荷遮断メッシュ電極を備える構成が望ましい。]
[0033] 第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段と、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段との間に電荷遮断メッシュ電極を備える構成が望ましい。]
[0034] 第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に、一つ以上のアノード及び／又は一つ以上のカソードを備える構成が望ましい。]
[0035] 第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に、一つ以上のアノード及び／又は一つ以上のカソードを備える構成が望ましい。]
[0036] 第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に、一つ以上のアノード及び／又は一つ以上のカソードを備える構成が望ましい。]
[0037] 第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に、一つ以上のアノード及び／又は一つ以上のカソードを備える構成が望ましい。]
[0038] イオン検出器は、望ましくは、
（ｉ）第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段に隣接する、及び／又は、向き合う、及び／又は、対向する、及び／又は、
（ｉｉ）イオン検出器のドリフト又は入力領域内である、及び／又は、
（ｉｉｉ）被分析物陽イオン（カチオン）を受け取り、二次電子及び／又は二次陰イオン（アニオン）及び／又は二次陽イオン（カチオン）を放出する、
ように構成される一つ以上の電極、対向電極、又はカソードを備える。]
[0039] 一つ以上の電極、対向電極、又はカソードは、
（ｉ）一つ以上の平坦電極、及び／又は、
（ｉｉ）一つ以上のグリッド電極又はメッシュ電極、及び／又は、
（ｉｉｉ）使用時にイオン又は被分析物カチオンが透過可能な一つ以上の孔を有する一つ以上の電極
を含む構成が望ましい。]
[0040] 一実施形態において、イオンがグリッドカソード電極を透過する構成でもよい。]
[0041] 一実施形態において、一つ以上の電極、対向電極、又はカソードの上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、９５から１００％が、
（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、
（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、
表面層又は被覆を備える構成でもよい。]
[0042] 表面被膜は、望ましくは、（ｉ）ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と、（ｉｉ）テルル化セシウム（ＣｓＴｅ）と、（ｉｉｉ）αＣＨ：Ｎ、非晶質炭素、又は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）と、（ｉｖ）銅と、（ｖ）アルミニウムと、（ｖｉ）酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、（ｖｉｉ）フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）と、（ｖｉｉｉ）タングステンと、からなる群から選択される。]
[0043] 一実施形態において、
（ｉ）一つ以上の電極、対向電極、又はカソードが、使用時に、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に対して、負電位に保たれる構成でもよい。及び／又は、
（ｉｉ）正電荷を持つ被分析物イオンが、使用時に、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段から離れる方向に加速され、かつ、一つ以上の電極、対向電極、又はカソードに近付く方向に加速される構成でもよい。及び／又は、
（ｉｉｉ）正電荷を持つ被分析物イオンが、使用時に、一つ以上の電極、対向電極、又はカソードの表面に激突して、二次陰イオン（アニオン）及び／又は二次陽イオン（カチオン）及び／又は二次電子を生成する構成でもよい。及び／又は、
（ｉｖ）二次陰イオン（アニオン）及び／又は二次陽イオン（カチオン）及び／又は二次電子の少なくとも一部が、望ましくは、使用時に、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段における一つ以上の孔を通って加速される。及び／又は、
（ｖ）一つ以上の電極、対向電極、又はカソードから放出される二次陰イオン（アニオン）及び／又は二次陽イオン（カチオン）及び／又は二次電子の少なくとも一部が、望ましくは、使用時に、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段の表面に激突して、さらに電子を生成する。及び／又は、
（ｖｉ）負電荷を持つ被分析物イオンが、望ましくは、使用時に、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段における一つ以上の孔を通って加速される。及び／又は、
（ｖｉｉ）望ましくは、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段の上面及び／又は下面上に配置される一つ以上のアノードに電子を向かわせることにより、複数の電子及び／又は光子が生成される。及び／又は、
（ｖｉｉｉ）望ましくは、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段の上面及び／又は下面上に配置される一つ以上のアノードに電子を向かわせることにより、複数の電子及び／又は光子が生成される。及び／又は、
（ｉｘ）望ましくは、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段の上面及び／又は下面上に配置される一つ以上のアノードに電子を向かわせることにより、複数の電子及び／又は光子が生成される。及び／又は、
（ｘ）望ましくは、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面上に配置される一つ以上のアノードに電子を向かわせることにより、複数の電子及び／又は光子が生成される。及び／又は、
（ｘｉ）第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段と、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段との間に位置する電荷遮断メッシュ電極を、電子なだれにより生成された光子が通過する構成も望ましい。及び／又は、
（ｘｉｉ）第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段と、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段との間に位置する電荷遮断メッシュ電極を、電子なだれにより生成された光子が通過する構成も望ましい。及び／又は、
（ｘｉｉｉ）第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段と、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段との間に位置する電荷遮断メッシュ電極を、電子なだれにより生成された光子が通過する構成も望ましい。及び／又は、
（ｘｉｖ）正電荷を持つ被分析物イオンが、望ましくは、使用時に、（ｉ）１ｍｍ／μｓより小さい値、（ｉｉ）１から５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｖ）１５から２０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘ）４０から４５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００ｍｍ／μｓより大きい値、からなる群から選択される速度で、一つ以上の電極、対向電極、又はカソードの表面に激突する。]
[0044] イオン検出器は、望ましくは、さらに、
（ｉ）一つ以上の読み出し電極、及び／又は、
（ｉｉ）一つ以上の光電子増倍管（ＰＭＴ）、及び／又は、
（ｉｉｉ）一つ以上の電荷結合検出器（ＣＣＤ）
を備える。]
[0045] 一つ以上の読み出し電極、及び／又は、一つ以上の光電子増倍管（ＰＭＴ）、及び／又は、一つ以上の電荷結合検出器（ＣＣＤ）が、最終段の箔層、基板、又はガス電子増幅段の下流に配置され、最終段の箔電極又はガス電子増幅段から放出される電子及び／又は光子を検出する構成が望ましい。また、一つ以上の読み出し電極、及び／又は、一つ以上の光電子増倍管（ＰＭＴ）、及び／又は、一つ以上の電荷結合検出器（ＣＣＤ）が、読み出しアノード及び／又は読み出し電子機器に接続される構成も望ましい。]
[0046] 質量分析計は、望ましくは、さらに、
（ａ）イオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＥＳＩ）イオン源と、（ｉｉ）大気圧光イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｐｈｏｔｏ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＰＩ）イオン源と、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＣＩ）イオン源と、（ｉｖ）マトリックス支援レーザー脱離イオン化（Ｍａｔｒｉｘ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＭＡＬＤＩ）イオン源と、（ｖ）レーザー脱離イオン化（Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＬＤＩ）イオン源と、（ｖｉ）大気圧イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＩ）イオン源と、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ：ＤＩＯＳ）イオン源と、（ｖｉｉｉ）電子衝撃（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｍｐａｃｔ：ＥＩ）イオン源と、（ｉｘ）化学イオン化（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＣＩ）イオン源と、（ｘ）電界イオン化（Ｆｉｅｌｄ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＦＩ）イオン源と、（ｘｉ）電界脱離（Ｆｉｅｌｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ：ＦＤ）イオン源と、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）イオン源と、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（Ｆａｓｔ Ａｔｏｍ Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ：ＦＡＢ）イオン源と、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＬＳＩＭＳ）イオン源と、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＤＥＳＩ）イオン源と、（ｘｖｉ）ニッケル６３放射性イオン源と、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザー脱離イオン化イオン源と、（ｘｖｉｉｉ）サーモスプレーイオン源と、（ｘｉｘ）大気圧サンプリング・グロー放電イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｓａｍｐｌｉｎｇ Ｇｌｏｗ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＳＧＤＩ）イオン源と、（ｘｘ）グロー放電（Ｇｌｏｗ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：ＧＤ）イオン源と、からなる群から選択されるイオン源、及び／又は、
（ｂ）一つ以上の連続イオン源又はパルスイオン源、及び／又は、
（ｃ）一つ以上のイオンガイド、及び／又は、
（ｄ）一つ以上のイオン移動度分離装置及び／又は一つ以上の電界非対称性イオン移動度分光計装置、及び／又は、
（ｅ）一つ以上のイオントラップあるいは一つ以上のイオン捕獲領域、及び／又は、
（ｆ）一つ以上の衝突セル、フラグメンテーション（断片化）セル又は反応セルであって、（ｉ）衝突誘起解離（Ｃｏｌｌｉｓｉｏｎａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＣＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｉ）表面誘起解離（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＳＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｉｉ）電子移動解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＴＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｖ）電子捕獲解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃａｐｔｕｒｅ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＣＤ）フラグメンテーション装置と、（ｖ）電子衝突又は電子衝撃解離フラグメンテーション装置と、（ｖｉ）光誘起解離（Ｐｈｏｔｏ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＰＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｖｉｉ）レーザー誘起解離フラグメンテーション装置と、（ｖｉｉｉ）赤外線誘起解離装置と、（ｉｘ）紫外線誘起解離装置と、（ｘ）ノズル・スキマー・インターフェース・フラグメンテーション装置と、（ｘｉ）インソースフラグメンテーション装置と、（ｘｉｉ）インソース衝突誘起解離フラグメンテーション装置と、（ｘｉｉｉ）熱源又は温度源フラグメンテーション装置と、（ｘｉｖ）電場誘起フラグメンテーション装置と、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉ）酵素消化又は酵素分解フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉｉｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−イオン反応装置と、（ｘｘｉｖ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−分子反応装置と、（ｘｘｖ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−原子反応装置と、（ｘｘｖｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−準安定イオン反応装置と、（ｘｘｖｉｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−準安定分子反応装置と、（ｘｘｖｉｉｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−準安定原子反応装置と、（ｘｘｉｘ）電子イオン化解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＩＤ）フラグメンテーション装置と、からなる群から選択される一つ以上の衝突セル、フラグメンテーションセル又は反応セル、及び／又は、
（ｇ）質量分析器であって、（ｉ）四重極質量分析器と、（ｉｉ）２次元又はリニア四重極質量分析器と、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）トラップ型又は３次元四重極質量分析器と、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）トラップ型質量分析器と、（ｖ）イオントラップ型質量分析器と、（ｖｉ）磁場型質量分析器と、（ｖｉｉ）飛行時間型質量分析器と、（ｖｉｉｉ）直交加速飛行時間型質量分析器と、（ｉｘ）線形加速飛行時間型質量分析器と、からなる群から選択される質量分析器、及び／又は、
（ｈ）一つ以上のエネルギー分析器又は静電エネルギー分析器、及び／又は、
（ｉ）一つ以上のイオン検出器、及び／又は、
（ｊ）一つ以上のマスフィルターであって、（ｉ）四重極マスフィルターと、（ｉｉ）２次元又はリニア四重極イオントラップと、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）型又は３次元四重極イオントラップと、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）型イオントラップと、（ｖ）イオントラップと、（ｖｉ）磁場型マスフィルターと、（ｖｉｉ）飛行時間型マスフィルターと、（ｖｉｉｉ）ウィーン（Ｗｅｉｎ）フィルターと、からなる群から選択される一つ以上のマスフィルター、及び／又は、
（ｋ）ほぼ連続的なイオンビームをパルス状のイオンビームに変換するデバイス、
を備える。]
[0047] 一実施形態において、質量分析計が、さらに、
Ｃ型トラップと、
質量分析器と、を備え、
第１動作モード下では、イオンは、Ｃ型トラップに導入された後、質量分析器に入射され、
第２動作モード下では、イオンは、Ｃ型トラップに続いて、衝突セル、フラグメンテーションセル、若しくは、反応セル、又は、電子移動解離、及び／又はプロトン移動反応装置に導入されて、少なくとも一部のイオンがフラグメントイオンに断片化され、及び／又は、少なくとも一部のイオンが反応してプロダクトイオンを生成し、フラグメントイオン及び／又はプロダクトイオンは、Ｃ型トラップに導入された後、質量分析器に入射される構成でもよい。]
[0048] 望ましくは、イオン検出器が、（ｉ）１０未満の値、（ｉｉ）１０から１００の範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１０００の範囲の値、（ｉｖ）１０3から１０4の範囲の値、（ｖ）１０4から１０5の範囲の値、（ｖｉ）１０5から１０6の範囲の値、（ｖｉｉ）１０6から１０7の範囲の値、（ｖｉｉｉ）１０7より大きい値、からなる群から選択されるゲインを有する。]
[0049] 本発明の別の態様は、質量分析方法であって、ガス電子増幅イオン検出器を用いて、イオンを検出する工程を備える。]
[0050] 本発明のまた別の態様は、装置であって、
イオン移動度分光計であって、第１の複数の電極、及び／又は、第２の複数の電極を有するイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置を備えるイオン移動度分光計と、
ガス電子増幅イオン検出器であって、イオン移動度分光計から、及び／又は、イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置から出てくるイオンを検出するように配置及び構成されるガス電子増幅イオン検出器と、
を備える。]
[0051] 一実施形態において、
（ａ）イオン移動度分光計は、イオン移動度に従ってイオンを時間的に分類するように構成される。及び／又は
（ｂ）イオン移動度分光計は、電界強度とイオン移動度の変化率に従ってイオンを時間的に分類するように配置および構成される電界非対称性イオン移動度分光計（Ｆｉｅｌｄ Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｉｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：ＦＡＩＭＳ）を備える。及び／又は、
（ｃ）使用時に、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置内にバッファガス、反応ガス、又はフラグメンテーションガスを供給する。及び／又は、
（ｄ）イオン移動度分光計は、気相電気泳動装置を備える。及び／又は、
（ｅ）イオン移動度分光計は、ドリフト管と、ドリフト管の少なくとも一部に沿ってＤＣ軸電圧勾配を維持する一つ以上の電極と、を備える。及び／又は、
（ｆ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、一つ以上の多重極ロッドセットを備える。及び／又は、
（ｇ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、一つ以上の四重極、六重極、八重極、又は、それ以上の多重極ロッドセットを備える。及び／又は、
（ｈ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、一つ以上の四重極、六重極、八重極、又は、それ以上の多重極ロッドセットを備え、一つ以上の多重極ロッドセットは、軸方向にセグメント化され、複数の軸方向セグメントを備える。及び／又は、
（ｉ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、少なくとも５個、１０個、１５個、２０個、２５個、３０個、３５個、４０個、４５個、５０個、５５個、６０個、６５個、７０個、７５個、８０個、８５個、９０個、９５個、又は１００個の電極を備える。及び／又は、
（ｊ）第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、使用時にイオンを透過させる孔を備える。及び／又は、
（ｋ）第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ大きさ、又は、ほぼ同じ面積の孔を備える。及び／又は、
（ｌ）第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ第１の大きさ、又は、ほぼ同じ第１の面積の孔を備える、及び／又は、第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、第１の大きさとは異なるほぼ同じ第２の大きさ、又は、第１の面積とは異なるほぼ同じ第２の面積の孔を備える。及び／又は、
（ｍ）第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ第３の大きさ、又は、ほぼ同じ第３の面積の孔を備える、及び／又は、第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、第３の大きさとは異なるほぼ同じ第４の大きさ、又は、第３の面積とは異なるほぼ同じ第４の面積の孔を備える。及び／又は、
（ｎ）第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸に沿った方向に、次第に大きさ又は面積が大きくなる、及び／又は、小さくなる孔を備える。及び／又は、
（ｏ）第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、（ｉ）１．０ｍｍ以下、（ｉｉ）２．０ｍｍ以下、（ｉｉｉ）３．０ｍｍ以下、（ｉｖ）４．０ｍｍ以下、（ｖ）５．０ｍｍ以下、（ｖｉ）６．０ｍｍ以下、（ｖｉｉ）７．０ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）８．０ｍｍ以下、（ｉｘ）９．０ｍｍ以下、（ｘ）１０．０ｍｍ以下、（ｘｉ）１０．０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される内径又は寸法を有する孔を備える。及び／又は、
（ｐ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、複数の平板電極又はメッシュ電極を備え、平板電極又はメッシュ電極の少なくとも一部は、使用時にイオンが移動する平面内に配置される。及び／又は、
（ｑ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、複数の平板電極又はメッシュ電極を備え、平板電極又はメッシュ電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、使用時にイオンが移動する平面内に配置される。及び／又は、
（ｒ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、少なくとも２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、又は２１個以上の平板電極又はメッシュ電極を備える。及び／又は、
（ｓ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、少なくとも２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、又は２１個以上の平板電極又はメッシュ電極を備え、平板電極又はメッシュ電極にＡＣ電圧又はＲＦ電圧を供給し、隣接する平板電極又はメッシュ電極には逆相のＡＣ電圧又はＲＦ電圧を供給する。及び／又は、
（ｔ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、複数の軸方向セグメント、すなわち、少なくとも５個、１０個、１５個、２０個、２５個、３０個、３５個、４０個、４５個、５０個、５５個、６０個、６５個、７０個、７５個、８０個、８５個、９０個、９５個、又は１００個の軸方向セグメントを備える。及び／又は、
（ｕ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、さらに、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向長さの少なくとも一部に沿って、ほぼ一定のＤＣ電圧勾配を保持するＤＣ電圧手段を備える。]
[0052] 一実施形態において、
（ａ）第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、第２の電極の少なくとも少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ円形、矩形、正方形、又は楕円形の孔を備える。及び／又は、
（ｂ）第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ第１の大きさ、又は、ほぼ同じ第１の面積を有する孔を備え、及び／又は、第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、第１の大きさとは異なるほぼ同じ第２の大きさ、又は、第１の面積とは異なるほぼ同じ第２の面積を有する孔を備える。及び／又は、
（ｃ）第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ第３の大きさ、又は、ほぼ同じ第３の面積を有する孔を備え、及び／又は、第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、第３の大きさとは異なるほぼ同じ第４の大きさ、又は、第３の面積とは異なるほぼ同じ第４の面積を有する孔を備える。及び／又は、
（ｄ）第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％及び／又は第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸に沿った方向に、次第に大きさ又は面積が大きくなる、及び／又は、小さくなる孔を備える。及び／又は、
（ｅ）第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％及び／又は第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、（ｉ）１．０ｍｍ以下、（ｉｉ）２．０ｍｍ以下、（ｉｉｉ）３．０ｍｍ以下、（ｉｖ）４．０ｍｍ以下、（ｖ）５．０ｍｍ以下、（ｖｉ）６．０ｍｍ以下、（ｖｉｉ）７．０ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）８．０ｍｍ以下、（ｉｘ）９．０ｍｍ以下、（ｘ）１０．０ｍｍ以下、（ｘｉ）１０．０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される内径又は寸法を有する孔を備える。及び／又は、
（ｆ）第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％及び／又は第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下、からなる群から選択される軸方向距離だけ互いに離れている。及び／又は、
（ｇ）第１の電極の少なくとも一部及び／又は第２の電極の少なくとも一部は孔を備え、隣接する電極間の中心間軸方向距離に対する孔の内径又は寸法の比は、（ｉ）１．０未満の値、（ｉｉ）１．０から１．２の範囲の値、（ｉｉｉ）１．２から１．４の範囲の値、（ｉｖ）１．４から１．６の範囲の値、（ｖ）１．６から１．８の範囲の値、（ｖｉ）１．８から２．０の範囲の値、（ｖｉｉ）２．０から２．２の範囲の値、（ｖｉｉｉ）２．２から２．４の範囲の値、（ｉｘ）２．４から２．６の範囲の値、（ｘ）２．６から２．８の範囲の値、（ｘｉ）２．８から３．０の範囲の値、（ｘｉｉ）３．０から３．２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）３．２から３．４の範囲の値、（ｘｉｖ）３．４から３．６の範囲の値、（ｘｖ）３．６から３．８の範囲の値、（ｘｖｉ）３．８から４．０の範囲の値、（ｘｖｉｉ）４．０から４．２の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）４．２から４．４の範囲の値、（ｘｉｘ）４．４から４．６の範囲の値、（ｘｘ）４．６から４．８の範囲の値、（ｘｘｉ）４．８から５．０の範囲の値、（ｘｘｉｉ）５．０より大きい値、からなる群から選択される。及び／又は、
（ｈ）第１の電極の孔の内径及び／又は第２の電極の孔の内径は、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の長手方向の軸に沿って、少なくとも一回、次第に大きく、又は、次第に小さくなり、その後、次第に小さく、又は、次第に大きくなる。及び／又は、
（ｉ）第１の電極及び／又は第２の電極は、幾何学量を規定し、幾何学量は、（ｉ）一つ以上の球体、（ｉｉ）一つ以上の扁平楕円体、（ｉｉｉ）一つ以上の扁長楕円体、（ｉｖ）一つ以上の楕円体、（ｖ）一つ以上の三軸楕円体、からなる群から選択される。及び／又は、
（ｊ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、（ｉ）２０ｍｍ未満の値、（ｉｉ）２０から４０ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）４０から６０ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）６０から８０ｍｍの範囲の値、（ｖ）８０から１００ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）１００から１２０ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）１２０から１４０ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１４０から１６０ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）１６０から１８０ｍｍの範囲の値、（ｘ）１８０から２００ｍｍの範囲の値、（ｘｉ）２００ｍｍより大きな値、からなる群から選択される長さを有する。及び／又は、
（ｋ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、少なくとも（ｉ）１個から１０個の電極、（ｉｉ）１０個から２０個の電極、（ｉｉｉ）２０個から３０個の電極、（ｉｖ）３０個から４０個の電極、（ｖ）４０個から５０個の電極、（ｖｉ）５０個から６０個の電極、（ｖｉｉ）６０個から７０個の電極、（ｖｉｉｉ）７０個から８０個の電極、（ｉｘ）８０個から９０個の電極、（ｘ）９０個から１００個の電極、（ｘｉ）１００個から１１０個の電極、（ｘｉｉ）１１０個から１２０個の電極、（ｘｉｉｉ）１２０個から１３０個の電極、（ｘｉｖ）１３０個から１４０個の電極、（ｘｖ）１４０個から１５０個の電極、（ｘｖｉ）１５０個から１６０個の電極、（ｘｖｉｉ）１６０個から１７０個の電極、（ｘｖｉｉｉ）１７０個から１８０個の電極、（ｘｉｘ）１８０個から１９０個の電極、（ｘｘ）１９０個から２００個の電極、および（ｘｘｉ）２００個以上の電極を備える。及び／又は、
（ｌ）第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％及び／又は第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下、からなる群から選択される厚み又は軸方向の長さを有する。及び／又は、
（ｍ）第１の電極及び／又は第２の電極のピッチ又は軸方向の距離は、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の長手方向の軸に沿って、少なくとも一回、次第に小さくなる、又は、次第に大きくなる。]
[0053] 一実施形態において、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、さらに、
（ｉ）第１の電極及び／又は第２の電極に対して、及び／又は補助電極に対して、一つ以上のＤＣ電圧を印加するデバイスであって、動作モードで、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも一部、もしくは、少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、ほぼ一定のＤＣ電圧勾配を保持するデバイス、及び／又は、
（ｉｉ）第１の電極及び／又は第２の電極に対して、多相ＲＦ電圧を印加するデバイスであって、印加により、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも一部、もしくは、少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、少なくとも一部のイオンを移動させるデバイス、
を備える。]
[0054] 一実施形態において、装置は、さらに、第１のＲＦデバイスであって、第１の電極の少なくとも一部及び／又は第２の電極の少なくとも一部に対して、第１の周波数および第１の振幅を有する第１のＡＣ電圧又はＲＦ電圧を印加することにより、使用時に、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置内部で径方向にイオンを閉じ込めるように配置および構成される第１のＲＦデバイスを備える。]
[0055] 第１の周波数は、望ましくは、（ｉ）１００ｋＨｚ未満の値、（ｉｉ）１００から２００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｉｉ）２００から３００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｖ）３００から４００ｋＨｚの範囲の値、（ｖ）４００から５００ｋＨｚの範囲の値、（ｖｉ）０．５から１．０ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉ）１．０から１．５ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．５から２．０ＭＨｚの範囲の値、（ｉｘ）２．０から２．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘ）２．５から３．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉ）３．０から３．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉ）３．５から４．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉｉ）４．０から４．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｖ）４．５から５．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖ）５．０から５．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉ）５．５から６．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉ）６．０から６．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）６．５から７．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｘ）７．０から７．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘ）７．５から８．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉ）８．０から８．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉ）８．５から９．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）９．０から９．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｖ）９．５から１０．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｖ）１０．０ＭＨｚより大きい値、からなる群から選択される。]
[0056] 第１の振幅は、（ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ）４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される。及び／又は、
（ｃ）動作モードにおいて、第１の電極及び／又は第２の電極のうち隣接又は近接する電極に、逆位相の第１のＡＣ電圧又はＲＦ電圧を供給する。及び／又は、
（ｄ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、１から１０の電極群、１０から２０の電極群、２０から３０の電極群、３０から４０の電極群、４０から５０の電極群、５０から６０の電極群、６０から７０の電極群、７０から８０の電極群、８０から９０の電極群、９０から１００の電極群、又は、１００より多い電極群を備え、各電極群には、少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、又は２０個の電極が含まれ、各電極群の少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、又は２０個の電極に同一位相の第１のＡＣ電圧又はＲＦ電圧を供給する。]
[0057] 装置は、望ましくは、さらに、期間ｔ1にわたって、第１の振幅を、ｘ1ＭＨｚだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変化させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的若しくは他の方法で増大させる、又は、段階的、漸進的又は他の方法で減少させるように配置および構成されるデバイスを備える。]
[0058] ここで、ｘ1は、望ましくは、（ｉ）１００ｋＨｚ未満の値、（ｉｉ）１００から２００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｉｉ）２００から３００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｖ）３００から４００ｋＨｚの範囲の値、（ｖ）４００から５００ｋＨｚの範囲の値、（ｖｉ）０．５から１．０ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉ）１．０から１．５ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．５から２．０ＭＨｚの範囲の値、（ｉｘ）２．０から２．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘ）２．５から３．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉ）３．０から３．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉ）３．５から４．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉｉ）４．０から４．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｖ）４．５から５．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖ）５．０から５．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉ）５．５から６．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉ）６．０から６．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）６．５から７．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｘ）７．０から７．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘ）７．５から８．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉ）８．０から８．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉ）８．５から９．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）９．０から９．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｖ）９．５から１０．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｖ）１０．０ＭＨｚより大きい値、からなる群から選択される。]
[0059] また、ｔ1は、望ましくは、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される。]
[0060] 装置が、さらに、第１の電極及び／又は第２の電極に対して、第２の振幅、高さ、又は深さを有する一つ以上の過渡ＤＣ電圧又は電位あるいは一つ以上の過渡ＤＣ電圧波形又は電位波形を印加するデバイスであって、この印加により、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも一部、もしくは、少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、少なくとも一部のイオンを移動させるデバイスを備える構成でもよい。]
[0061] 一実施形態において、装置が、さらに、期間ｔ2にわたって、第２の振幅、高さ、又は深さを、ｘ2ボルトだけ、変化させる、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変化させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的若しくは他の方法で増大させる、又は、段階的、漸進的若しくは他の方法で減少させるように配置および構成されるデバイスを備える構成でもよい。]
[0062] ここで、ｘ2は、望ましくは、（ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ）４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される。]
[0063] また、ｔ2は、望ましくは、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される。]
[0064] 一実施形態において、装置が、さらに、期間ｔ3にわたって、一つ以上の過渡ＤＣ電圧若しくは電位又は一つ以上の過渡ＤＣ電圧波形若しくは電位波形を第１の電極及び／又は第２の電極に対して印加する速度すなわち変化率、又は、平行移動させる速度すなわち変化率をｘ3ｍ／ｓだけ、変化させる、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変化させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的若しくは他の方法で増大させる、又は、段階的、漸進的若しくは他の方法で減少させるように配置および構成されるデバイスを備える構成でもよい。]
[0065] ここで、ｘ3は、望ましくは、（ｉ）１未満の値、（ｉｉ）１から２の範囲の値、（ｉｉｉ）２から３の範囲の値、（ｉｖ）３から４の範囲の値、（ｖ）４から５の範囲の値、（ｖｉ）５から６の範囲の値、（ｖｉｉ）６から７の範囲の値、（ｖｉｉｉ）７から８の範囲の値、（ｉｘ）８から９の範囲の値、（ｘ）９から１０の範囲の値、（ｘｉ）１０から１１の範囲の値、（ｘｉｉ）１１から１２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）１２から１３の範囲の値、（ｘｉｖ）１３から１４の範囲の値、（ｘｖ）１４から１５の範囲の値、（ｘｖｉ）１５から１６の範囲の値、（ｘｖｉｉ）１６から１７の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）１７から１８の範囲の値、（ｘｉｘ）１８から１９の範囲の値、（ｘｘ）１９から２０の範囲の値、（ｘｘｉ）２０から３０の範囲の値、（ｘｘｉｉ）３０から４０の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）４０から５０の範囲の値、（ｘｘｉｖ）５０から６０の範囲の値、（ｘｘｖ）６０から７０の範囲の値、（ｘｘｖｉ）７０から８０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）８０から９０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）９０から１００の範囲の値、（ｘｘｉｘ）１００から１５０の範囲の値、（ｘｘｘ）１５０から２００の範囲の値、（ｘｘｘｉ）２００から２５０の範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）２５０から３００の範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）３００から３５０の範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）３５０から４００の範囲の値、（ｘｘｘｖ）４００から４５０の範囲の値、（ｘｘｘｖｉ）４５０から５００の範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉ）５００から６００の範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６００から７００の範囲の値、（ｘｘｘｉｘ）７００から８００の範囲の値、（ｘｌ）８００から９００の範囲の値、（ｘｌｉ）９００から１０００の範囲の値、（ｘｌｉｉ）１０００から２０００の範囲の値、（ｘｌｉｉｉ）２０００から３０００の範囲の値、（ｘｌｉｖ）３０００から４０００の範囲の値、（ｘｌｖ）４０００から５０００の範囲の値、（ｘｌｖｉ）５０００から６０００の範囲の値、（ｘｌｖｉｉ）６０００から７０００の範囲の値、（ｘｌｖｉｉｉ）７０００から８０００の範囲の値、（ｘｌｉｘ）８０００から９０００の範囲の値、（ｌ）９０００から１００００の範囲の値、（ｌｉ）１００００より大きい値、からなる群から選択される。]
[0066] また、ｔ3は、望ましくは、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される。]
[0067] 装置が、さらに、
（ｉ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、線形軸方向ＤＣ電場を形成する、又は、
（ｉｉ）イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、非線形又は段階式軸方向ＤＣ電場を形成する、
ように配置および構成されるデバイスを備える構成も望ましい。]
[0068] 一実施形態において、イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置を通過するイオンの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％の滞留時間、走行時間、又は反応時間が、望ましくは、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から５ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）１０から１５ミリ秒の範囲の値、（ｖ）１５から２０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）２０から２５ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）３５から４０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）４０から４５ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）４５から５０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）６５から７０ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９０から９５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００から１０５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）１０５から１１０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）１１０から１１５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｖ）１１５から１２０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｖｉ）１２０から１２５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）１２５から１３０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０から１３５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉｘ）１３５から１４０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘ）１４０から１４５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉ）１４５から１５０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）１５０から１５５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５から１６０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）１６０から１６５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｖ）１６５から１７０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｖｉ）１７０から１７５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５から１８０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０から１８５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉｘ）１８５から１９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｌ）１９０から１９５ミリ秒の範囲の値、（ｘｌｉ）１９５から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｌｉｉ）２００ミリ秒より長い値、からなる群から選択される。]
[0069] イオン移動度分光計及び／又はイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、望ましくは、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択されるサイクルタイムを有する。]
[0070] 本発明の別の態様は、イオン移動度分光計用のイオン検出器であって、イオン検出器はガス電子増幅イオン検出器を備える。]
[0071] 本発明のまた別の態様は、イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置用のイオン検出器であって、イオン検出器はガス電子増幅イオン検出器を備える。]
[0072] 本発明のさらに別の態様は、質量分析器用のイオン検出器であって、イオン検出器が、ガス電子増幅イオン検出器を備える。]
[0073] イオン検出器は、望ましくは、
少なくとも第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段と、
第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段に隣接して配置される、及び／又は、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段に対向して配置される、一つ以上の電極、対向電極、又はカソードと、
を備える。]
[0074] 本発明の別の態様は、イオンの検出方法であって、
イオンをイオン移動度分光計に通す工程と、
イオン移動度分光計から出てくるイオンの少なくとも一部を、ガス電子増幅イオン検出器を用いて検出する工程と、
を備える。]
[0075] 本発明のまた別の態様は、イオンの検出方法であって、
イオンをイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置に通す工程と、
イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置から出てくるイオンの少なくとも一部を、ガス電子増幅イオン検出器を用いて検出する工程と、
を備える。]
[0076] 本発明のさらに別の態様は、イオンの検出方法であって、
質量分析器でイオンの質量分析を行う工程と、
質量分析器内のイオンの少なくとも一部を、ガス電子増幅イオン検出器を用いて検出する工程と、
を備える。]
[0077] イオンの検出方法は、望ましくは、さらに、
少なくとも第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段と、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段に隣接して配置される、及び／又は、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段に対向して配置される、一つ以上の電極、対向電極、又はカソードと、を備えるイオン検出器を準備する工程
を備える。]
[0078] 好適な実施形態は、改良型ガス電子なだれ増幅イオン検出器を備える装置である。イオン検出器が、低エネルギーのイオンを検出可能に配置及び構成されるガス電子増幅検出器を備える構成が望ましい。]
[0079] 好適な実施形態に従うガス電子増幅イオン検出器は、正電荷を持つ低エネルギーイオンと負電荷を持つ低エネルギーイオンの両方を検出可能に配置及び構成されることが望ましい。本発明の好適な実施形態に従うガス電子増幅イオン検出器は、望ましくはガス電子増幅検出器への入射口の近傍で、かつ、入射口に対向して配置される電極若しくはカソードを内蔵する、又は、含む構成が望ましい。電極若しくはカソードは、望ましくは、ガス電子増幅検出器の入射口に対して負電位を有するように構成される。]
[0080] 動作時に、正電荷を持つ低エネルギー被分析物イオンが、ドリフト領域で受け取られ、ガス電子増幅検出器の入射口から離れる方向に加速され、また、対向電極又はカソードに近付く方向に加速される構成が望ましい。正電荷を持つイオンが、望ましくは、対向電極又はカソードの表面に激突して、負電荷を持つ二次イオン及び／又は二次電子及び／又は二次陽イオンを生成する。二次イオン及び／又は二次電極は、望ましくは、ガス電子増幅検出器の入射口に近付く方向に加速ざれる。負電荷を持つ二次イオン及び／又は二次電子は、望ましくは、ガス電子増幅検出器に入射され、その結果、二次電子が増幅され、次に、もしくは、最終的に、読み出し電極により検出される。ガス電子増幅検出器の入射口に隣接するドリフト領域で受け取られる、負電荷を持つ低エネルギー被分析物イオンを、ガス電子増幅検出器の入射口に直接近付く方向に加速するようにしてもよい。負電荷を持つイオンが電子なだれを誘発することにより、イオンを効果的に増幅および検出することが可能になる。]
[0081] 一実施形態において、望ましくはガス電子増幅検出器の入射口に隣接するドリフト領域に配置される対向電極又はカソードの表面を、負電荷を持つ二次イオンの収率を増大させる物質で被覆するようにしてもよい。さらに、又は、代わりに、対向電極又はカソードの表面を二次イオンの収率を増大させる物質で被覆するようにしてもよい。]
[0082] 好適な実施形態において、イオン検出器を、被分析物イオンの分析および検出用の分析機器と組み合わせる構成も望ましい。イオン検出器を、たとえば、イオン移動度分離装置及び／又は質量分析計と組み合わせるようにしてもよい。イオン移動度分離装置及び／又は質量分析計及び／又はイオン検出器を、大気圧近傍の圧力レベルに保持し、この圧力レベルで動作させるようにしてもよい。また、好適な実施形態に従うイオン検出器を、大気圧よりも高い圧力レベルで動作させるようにしてもよい。]
[0083] 他の実施形態において、イオン移動度分離装置及び／又は質量分析計及び／又はイオン検出器を、大気圧よりも低い圧力レベル又は部分減圧レベルに保持し、この圧力レベルで動作させるようにしてもよい。好適な実施形態において、イオン検出器を、０．０１ミリバールよりも高い圧力レベル、より好ましくは、０．１ミリバールよりも高い圧力レベルに維持し、この圧力レベルで動作させるようにしてもよい。]
図面の簡単な説明

[0084] 本発明のさまざまな実施例を、説明をするための他の構成と共に、以下、例示を目的として、添付の図面を参照して詳述する。]
[0085] 周知の３段ガス電子増幅放射検出器を示す図。
周知のガス電子増幅放射検出器を高エネルギー粒子を検出するために用いる際の動作原理の概略を示す図。
光子を検出する際の周知のガス電子増幅放射検出器の動作原理の概略を示す図。
電子なだれ源として二次電子放射を用いて低エネルギー正イオンを検出するようにガス電子なだれ増幅器を構成した本発明の実施例の概略を示す図。
ＣｓＩ基板上およびステンレススチール表面上における質量１１８２．３Ｄａの入射イオンに関する二次電子収率の文献値を示す図。
電子なだれ源として二次負イオン放射を用いて正イオンを検出するように構成されたガス電子なだれ増幅器を備える実施例の概略を示す図。
低エネルギー負イオンを検出するように構成されたガス電子なだれ増幅器を備える実施例の概略を示す図。
本発明の実施例に従うガス電子増幅イオン検出器を内蔵するイオン移動度分光計を示す図。
本発明の実施例に従うガス電子増幅イオン検出器を内蔵する質量分析計を示す図。]
実施例

[0086] 高エネルギー放射を検出するように設計された周知の３段ガス電子増幅検出器を例として、図１を参照して説明する。放射検出器は、３枚の薄い絶縁ポリマーシート１（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３）を備え、各絶縁ポリマーシート１の厚さは、たとえば、５０μｍである。ポリマーシートの上面および下面を、銅の薄層２で被覆する。ポリマーシート１を貫通するように小さな穴３をエッチング処理により形成する。孔３の大きさは、たとえば、直径７５μｍ、ピッチは１４０μｍである。] 図１
[0087] 抵抗器ネットワーク４を用いて、銅層２に電圧を印加する。抵抗器ネットワーク４は、孔３の内部に非常に高い電界を形成し、かつ、３段のシート又は箔層（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３）の間の領域内および第３段（最終段）のシート又は箔層（ＧＥＭ３）と読み出し電極５との間の誘導領域内に低いドリフト場を形成するように、設計される。]
[0088] 孔３内部の高電界は、放射検出器の第１段（ＧＥＭ１）正面の空間又はドリフト領域内に短い距離だけ入り込む。放射検出器正面の空間に漏洩する高電界は、放射検出器の第１段（ＧＥＭ１）への入射口に近付く方向に負電荷を持つ任意の粒子を加速するように作用する。ただし、同時に、検出器の第１段（ＧＥＭ１）正面のドリフト領域に漏洩する高電界は、検出器の入射口から遠ざかる方向に正電荷をもつ任意の粒子を加速させる効果がある。]
[0089] 図２Ａおよび図２Ｂに、高エネルギー粒子（たとえば、ＭｅＶのエネルギー範囲の粒子）および光子（たとえば、Ｘ線やガンマ線）を検出するために用いられる周知のガス電子増幅放射検出器の動作原理を示す。図２Ａに、放射検出器の第１段（ＧＥＭ１）への入射口正面の空間を通過する高エネルギー入射粒子６を示す。高エネルギー粒子６は、周囲のガス原子や分子をイオン化して、電子７と正イオン８の両方を生成する。放射検出器の第１段（ＧＥＭ１）への入射口正面の空間に漏洩する電界は、検出器の入射口から遠ざかる方向に正イオン８を移動させる。同時に、電界は、第１の箔層（ＧＥＭ１）における孔に近付く方向に電子７を移動させる。] 図２Ａ 図２Ｂ
[0090] 電子７は、第１の箔層（ＧＥＭ１）における孔３に入り、第１の箔層（ＧＥＭ１）における孔３内部の高電界により加速され、その結果、短寿命のタウンゼント放電が開始される。これにより、第１の箔層（ＧＥＭ１）における孔内部で、より多くの電子や正イオンが生成される。また、周囲のガスに応じて、光子も生成される。]
[0091] 第１の箔層（ＧＥＭ１）における孔内部で生成された正イオンが、第１の箔層（ＧＥＭ１）を形成する入射口電極に引き付けられる一方、電子は、第２の箔層（ＧＥＭ２）における孔９内に進入する。第２の箔層（ＧＥＭ２）における孔９内に入った電子は、ここでもタウンゼント放電を開始し、第２の箔層（ＧＥＭ２）における孔９内でより多くの電子や正イオンが生成される。この過程が繰り返され、第２の箔層（ＧＥＭ２）における孔９内で生成された電子は、第３の箔層（ＧＥＭ３）における孔内に進入する。ここでもまたタウンゼント放電が開始されて、より多くの電子や正イオンが生成される。第３の箔層（ＧＥＭ３）における孔内の電子１０は、その後、誘導領域を通って加速され、読み出し電極５に集まる。この結果、持続時間が１０ナノ秒と短い電流パルスが得られる。誘導領域は、第３の箔層（ＧＥＭ３）と読み出し電極５との間の領域である。この構成における電子ゲインは、通常、１０4から１０6のレベルである。]
[0092] 図２Ｂに、放射をイオン化する際の従来の構成を示す。検出器の第１段（ＧＥＭ１）への入射口正面の空間のドリフト領域を通過する入射光子１１は、周囲のガス原子や分子をイオン化して、電子７と正イオン８とを生成する。この後は、図２Ａの構成を参照して上述したものと同様の過程が繰り返される。あるいは、検出器の第１段（ＧＥＭ１）への入射口電極の開口表面又は上部表面上に析出するＣｓＩの表面層のような光電陰極物質上に光子が入射される。光電陰極から放出される光電子は、第１の箔層（ＧＥＭ１）における孔３に引き付けられ、上述したような一連の電子なだれが誘発される。] 図２Ａ 図２Ｂ
[0093] 図３に、本発明の一実施例に従うガス電子増幅イオン検出器を示す。低エネルギー正イオンを検出するように配置及び構成されるガス電子なだれ増幅イオン検出器を好適な実施例として説明する。対向電極又はカソード１２は、望ましくは、イオン検出器の第１段（ＧＥＭ１）への入射口の近傍に、入射口に対向して配置される。被分析物イオンが、対向電極又はカソード１２とイオン検出器の第１段（ＧＥＭ１）の上面との間に配置されるドリフト領域を通過することにより、対向電極又はカソード１２とイオン検出器の第１段（ＧＥＭ１）への入射口との間を通るような構成が望ましい。] 図３
[0094] 一実施形態において、２つの表面の間、すなわち、対向電極又はカソード１２と第１の箔層（ＧＥＭ１）の上面との間の側面からドリフト領域にイオンが入るような構成でもよい。あるいは、対向電極１２をグリッド電極やメッシュ電極から形成し、使用時に被分析物イオンが通過可能な孔を備える構成でもよい。図３に、対向電極又はカソード１２に、たとえば、数ｋＶの負電位を印加することにより、入射される低エネルギー被分析物正イオン１３が対向電極又はカソード１２に引き付けられる様子を示す。被分析物イオン１３が対向電極又はカソード１２に近付く方向に移動し、検出器内部又はドリフト領域内部のガス分子に衝突する構成が望ましい。この結果、被分析物イオン１３は、ガスが存在しない条件下での衝撃速度に到達することができない。] 図３
[0095] 一実施形態において、望ましくは、対向電極又はカソード１２の表面には、低エネルギーイオン衝撃による二次負イオン及び／又は二次電子の収率を増大させるように設計される表面被覆１４を備える。入射イオン１３が対向電極又はカソード１２の表面に与える衝撃により、表面被覆又は表面層１４から二次負イオンおよび電子１５が放出される。]
[0096] イオン衝撃を受ける表面から放出される二次電子の数を、ポアソン分布により説明する。]
[0097] 平均二次電子収率γに基づき、ｎ個の二次電子が放出される確率Ｐ（ｎ）を以下の式で表わすことができる。]
[0098] したがって、０個の二次電子を生成する確率Ｐ（０）は、以下の式で表わされる。]
[0099] すなわち、一つ以上の電子が放出される確率は、以下の式により算出可能である。]
[0100] 実際の収率は、被衝撃物質の仕事関数や入射分子イオンの質量、イオンの元素組成、イオンの衝撃角度、イオンの衝撃速度等、さまざまな因子に応じて変動する。]
[0101] 物質の高エネルギー（又は高速度）分子イオン衝撃により引き起こされる二次電子放出の研究が行われており、入射分子イオンの速度が減少するにつれて二次電子の収率も減少することが知られている。以前には、これ以下の速度では二次電子が放出されないイオン検出速度の閾値が約１０〜１８ｍｍ／μｓの範囲に存在すると考えられていた。しかしながら、最近の測定結果から、これは実際には正しくなく、４ｍｍ／μｓ程度の低い入射イオン速度でも二次電子放出が起こりえることがわかっている。たとえば、Ｂｒｕｎｅｌｌｅ（Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎ．Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍ． １９９７、３５３）は、６ｍｍ／μｓの衝撃速度における６６ｋＤａのイオンの検出確率が約０．２であると報告している。]
[0102] ＢｒｕｎｅｌｌｅおよびＷｅｓｔｍａｃｏｔｔ（Ｎｕｃｌ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．ＭｅｔｈｏｄｓＢ １９９６、１０８：２８２）は、２０ｍｍ／μｓ以下の速度範囲におけるデータを報告している。Ｗｅｓｔｍａｃｏｔｔは、ステンレススチール（ＳＳ）表面およびＣｓＩ表面に対するインスリン（５７３３．５Ｄａ）、トリプシン（約２３５４０Ｄａ）、ヒト・トランスフェリン（約７９５００Ｄａ）、β‐ガラクトシダーゼ（約１１３６００Ｄａ）衝撃のデータを報告している。また、Ｂｒｕｎｅｌｌｅは、ＣｓＩに対する質量１１８２．３Ｄａの黄体形成ホルモン放出ホルモン（ＬＨＲＨ）、ウシ・インスリン（５７３３．５Ｄａ）、ウシ・トリプシン（２３２９６Ｄａ）およびウシ血清アルブミン（６６４３０Ｄａ）衝撃のデータを報告している。]
[0103] Ｗｅｓｔｍａｃｏｔｔによれば、単位質量あたり（少なくとも約５ｋＤａから１２０ｋＤａの間）の入射粒子エネルギーに対して二次粒子収率の減少（入射粒子の質量で除算したγ）をプロットした場合、すべてのデータ点が、所定の標的物質に対する同一曲線上に位置する。Ｂｒｕｎｅｌｌｅにより報告されたデータから、１１８２．３ＤａのＬＨＲＨのデータに基づき、入射粒子速度の関数として二次粒子の収率を求めることが可能であることがわかる。このデータを、入射粒子速度（ｍｍ／μｓ）の関数としてＬＨＲＨ（１１８２．３Ｄａ）から推定される二次電子収率を与えるようにスケーリングされたＷｅｓｔｍａｃｏｔｔのデータと共に、図４に示す。ＣｓＩ標的に対するＷｅｓｔｍａｃｏｔｔのデータとＢｒｕｎｅｌｌｅのデータとの間には高い相関性がみられる。たとえば、速度７から８ｍｍ／μｓで表面に入射されるＬＨＲＨイオンのγ値は０．０１である。] 図４
[0104] 上述したように、たとえばイオン移動度分光計に利用可能なファラデーカップ検出システムでは、信号を検出するために、最低でも１０3個、通常は１０4個以上のイオンを必要とする。これに対して、本発明の実施例では、二次電子の収率が０．０１である場合、信号の検出に必要なイオンの数は、約１００個に過ぎない。これは、従来のファラデーカップ検出器よりも一桁あるいは二桁少ない値であり、実施例のイオン検出器が従来の検出器と比べて大きく改善されていることがわかる。]
[0105] 再び図３を参照して説明する。放出された二次電子１５が加速されて、上部電極（ＧＥＭ１）における孔内に進入すると、上述したような一連の電子なだれが誘発される。二次電子１６の一部が検出器の第１段（ＧＥＭ１）の入射口電極の表面に衝突することにより、さらに多くの電子が放出される。このようにして放出された電子が加速されて、第１の電極（ＧＥＭ１）における孔内に進入することにより、電子なだれが誘発される。電極の露出面を、二次電子の収率を増大させるような物質で被覆するようにしてもよい。] 図３
[0106] さらに、被分析物正イオンが対向電極又はカソード１２の表面に入射することにより、負電荷を持つ二次イオン１７が放出される。所定の状況下では、このような構成により、高い効率の検出機構を実現することが可能である。図５を参照して、このような構成の実施例を詳述する。図５に示すように、対向電極又はカソード１２に負電位を印加することにより、低エネルギー被分析物正イオン１３は、対向電極又はカソード１２に引き付けられる。入射正イオン１３が対向電極又はカソード１２に及ぼす衝撃により、二次負イオン１７が放出される。] 図５
[0107] 低エネルギーの正イオン衝撃による二次負イオンの収率を増大させるような被膜１４を、対向電極又はカソード１２の表面に形成するようにしてもよい。入射正イオン１３の衝撃により二次負イオン１７が放出される。放出された二次負イオン１７は、第１の箔層（ＧＥＭ１）の入射口電極に近付く方向に移動する。第１の箔層（ＧＥＭ１）の入射口電極における孔に入ると、二次負イオン１７は加速され、その結果、ガス分子との間で高エネルギー衝突が起こる。このような衝突により、電子および正イオンが生成され、生成された電子１９により上述したような一連の電子なだれが誘発される。この領域において中性分子１８と自由電子１９とを生成する非常に高い電界による衝突イオン化により、負電荷を持つイオンが余分な電子を放出すると考えられる。生成された自由電子１９により、望ましくは、上述したような一連の電子なだれが誘発される。]
[0108] Ｗｅｓｔｍａｃｏｔｔは、ＣｓＩおよびステンレススチールに対する、インスリン、トリプシン、（１価および２価の電荷を持つ）ヒト・トランスフェリンおよびβ‐ガラクトシダーゼ等、比較的高い質量の正イオンの入射により生成された二次負イオン収率のデータを報告している。この報告によれば、二次負イオン放出の効率は、入射イオンの質量や速度に関係なく、０．４から０．８の範囲であった。この研究において、入射正イオンの速度は、３から２８ｍｍ／μｓの範囲内であった。図４に、この動作範囲を斜線領域２０として示す。] 図４
[0109] この動作モードにおける収率は、二次電子放出の収率に比べて、一桁から二桁大きい。本発明の実施例において、約０．４から０．８の範囲の二次負イオンの収率に対して、信号検出に必要とされるイオンの数は、約１個から３個に過ぎない。このイオン数は、ファラデーカップ検出器に比べて、２桁半から４桁少ない。実際には、二次電子の放出機構と二次負イオン放出機構とが同時に働く可能性が高い。]
[0110] 上述したようなさまざまな表面からの二次電子の収率を増大及び／又は二次負イオンの収率を増大させるために利用可能な被覆の例としては、これらに限定されるものではないが、ＣｓＩ、ＣｓＴｅ、αＣＨ：Ｎ、Ｃｕ、Ａｌ、ＭｇＯ、ＭｇＦ2およびＷが挙げられる。]
[0111] 図６に、低エネルギー負イオンを検出可能に配置および構成された、本発明の一実施例に従うガス電子なだれ増幅検出器を示す。対向電極又はカソード１２に負電位を印加することが望ましいが、この負電位は、上述した低エネルギー正イオンの検出の際に印加した電位と同じ電位でもよい。入射負イオン２１が、対向電極又はカソード１２によりはね返されて、検出器の第１段（ＧＥＭ１）の入射口に直接近付く方向に加速される。検出器の第１段（ＧＥＭ１）の入射口電極における孔に入ると、二次負イオン２１が加速され、その結果、ガス分子との間で高エネルギー衝突が起こる。このような衝突により、電子と正イオンとが生成される。この領域において中性分子２２と自由電子２３とを生成する非常に高い電界による衝突イオン化により、負電荷を持つイオンが余分な電子を放出すると考えられる。生成された電子２３により、望ましくは、上述したような一連の電子なだれが誘発される。] 図６
[0112] 入射負イオン２１が第１の箔層（ＧＥＭ１）の入射口電極表面に衝撃を与える可能性もある。この場合、二次電子又は二次負イオンが生成されて、生成された二次電子又は二次負イオンが第１段の箔電極（ＧＥＭ１）における孔の一つに向かうことにより、電子なだれが誘発される。]
[0113] この構成において、検出器は、電圧を変更することなく、正イオンと負イオンの両方に応答可能である。]
[0114] 好適な実施例として、３段の箔電極（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３）を備え、各段の箔電極の厚さを５０μｍとする構成も望ましい。各段の箔電極を１ｍｍの間隔で配置し、第１段の箔電極（ＧＥＭ１）と対向電極又はカソード１２との間の距離を３ｍｍとしてもよい。たとえば、第１段の箔電極（ＧＥＭ１）の正面又は上面を接地電位として、各段の箔電極（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３）が１００Ｖの電位差又は電圧差を保持し、その結果、孔内に２００ｋＶ／ｃｍの電界が形成されるような構成でもよい。隣接する段の箔電極（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３）間で、並びに、最終段の箔電極（ＧＥＭ３）と読み出しアノード５との間で、３０Ｖの電位差又は電圧差が保持されるような構成でもよい。これらの領域内では、望ましくは、３ｋＶ／ｃｍの電界が保持される。第１段の箔電極（ＧＥＭ１）と対向電極又はカソード１２との間の電位差又は電圧差を−１０００Ｖとして、最初のドリフト領域における電界を３ｋＶ／ｃｍとする構成でもよい。]
[0115] 本発明の実施形態において、ガス電子なだれ増幅素子間で、光電子放出を介した通信を行うようにしてもよい。一実施例において、第１の電荷遮断メッシュ電極を第１段の箔電極（ＧＥＭ１）と第２段の箔電極（ＧＥＭ２）との間に配置する構成でもよい。帯状アノード及び／又は帯状カソードが、第１段の箔電極（ＧＥＭ１）の下面に備えられる構成が望ましい。第１段の箔電極（ＧＥＭ１）における孔内部で生成された「なだれ電子」は、第１段の箔電極（ＧＥＭ１）の下面に備えられる帯状アノードに近付く方向に向かう、又は、近づく方向に偏向される。この結果、第２の電子なだれが帯状アノードにおいて誘発される。電子なだれにより生成された光子は、第１の電荷遮断メッシュ電極のグリッドを通過し、望ましくは第２段の箔電極（ＧＥＭ２）の上面に配置される光電陰極表面に衝突する。光電陰極表面にＣｓＩが含まれることが望ましい。第２段の箔電極（ＧＥＭ２）の上面に配置される光電陰極から、光電子が誘導又は放出される。望ましくは、光電子は、加速されて、第２段の箔電極（ＧＥＭ２）における孔内に入り、さらに多くの「なだれ電子」が生成される。]
[0116] 第１の電荷遮断メッシュ電極の両側の電界が逆になるように、第１の電荷遮断メッシュ電極を分極又は接地するようにしてもよい。第１段の箔電極（ＧＥＭ１）における孔内で生成された「なだれ正イオン」は、第１の電荷遮断メッシュ電極に近付く方向に向かう。同様に、第２段の箔電極（ＧＥＭ２）における孔内で生成された「なだれ正イオン」は、第１の電荷遮断メッシュ電極に近付く方向に戻る。]
[0117] 本実施例の構成により、イオンの逆流を効果的に削減又は排除することができる。さらに、適当にバイアスをかけた中間グリッド電極又は電荷遮断電極を用いることにより、第１段の箔電極と第２段の箔電極（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２）間における電子と逆向きのイオンの輸送を効果的に遮断する、又は、防ぐことができる。]
[0118] さらに、又は、代わりに、第２段の箔電極（ＧＥＭ２）と第３段の箔電極（ＧＥＭ３）との間に第２の電荷遮断メッシュ電極又は中間グリッド電極を配置する構成でもよい。この実施例において、帯状アノード及び／又は帯状カソードが、第２段の箔電極（ＧＥＭ２）の下面に備えられる構成が望ましい。第２段の箔電極（ＧＥＭ２）における孔内部で生成された「なだれ電子」は、第２段の箔電極（ＧＥＭ２）の下面に備えられる帯状アノードに近付く方向に向かう、又は、近づく方向に偏向される。この結果、第２の電子なだれが帯状アノードにおいて誘発される。電子なだれにより生成された光子は、第２の電荷遮断メッシュ電極のグリッドを通過し、望ましくは第３段の箔電極（ＧＥＭ３）の上面に備えられる光電陰極表面に衝突する。光電陰極表面にＣｓＩが含まれることが望ましい。第３段の箔電極（ＧＥＭ３）の上面に配置される光電陰極から、光電子が誘導又は放出される。望ましくは、光電子は、加速されて、第３段の箔電極（ＧＥＭ３）における孔内に入り、さらに多くの「なだれ電子」が生成される。]
[0119] 第２の電荷遮断メッシュ電極の両側の電界が逆になるように、第２の電荷遮断メッシュ電極を分極又は接地するようにしてもよい。第２段の箔電極（ＧＥＭ２）における孔内で生成された「なだれ正イオン」は、第２の電荷遮断メッシュ電極に近付く方向に向かう。同様に、第３段の箔電極（ＧＥＭ３）における孔内で生成された「正イオンなだれ」は、第２の電荷遮断メッシュ電極に近付く方向に戻る。]
[0120] 単なる一例に過ぎないが、一実施例において、３段の箔電極（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３）を備え、各段の箔電極の厚さを５０μｍとして、各段の箔電極を２ｍｍの間隔で配置する構成も望ましい。第１段の箔電極（ＧＥＭ１）と対向電極又はカソード１２との間の距離を３ｍｍとしてもよい。３段の箔電極（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３）の中間点に２つの電荷遮断メッシュ電極を備える構成も望ましい。各段の箔電極（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３）の正面又は上面を接地電位に接続するようにしてもよい。各段の箔電極における孔を介した、各箔電極の上部電極と下部電極の帯状カソードとの間の電圧差又は電位差が１００Ｖになるような構成でもよい。また、各段の箔電極（ＧＥＭ１、ＧＥＭ２、ＧＥＭ３）における下部電極の帯状カソードと帯状アノードとの間の電圧が２０Ｖ（すなわち、接地に対して１２０Ｖ）になるような構成でもよい。電荷遮断メッシュ電極を接地電位に接続し、最終段の箔電極（ＧＥＭ３）と読み出しアノード５との間の電位を３０Ｖ（すなわち、接地に対して１５０Ｖ）にするような構成も望ましい。第１段の箔電極と対向電極又はカソード１２との間の電圧差を−１０００Ｖとしてもよい。]
[0121] 読み出し電極５を光電子増倍管又はＣＣＤカメラに置き換える構成でもよい。光電子増倍管又はＣＣＤカメラは、イオン検出器全体のゲインを増大させるため、先のガス電子増幅段をより低いゲインで動作させることが可能になる。この結果、ガス電子増幅段をより低い電圧値に保持できる。ＣＣＤカメラ検出器を用いることにより、空間情報が有用な用途における画像の記録にイオン検出器を利用することが可能になる。]
[0122] イオン検出器の第１のガス電子増幅段（ＧＥＭ１）の前に、別のガス電子増幅段（ＧＥＭ０）を備える構成にしてもよい。対向電極又はカソード１２に正電位を印加して、被分析物正イオンをはね返すようにしてもよい。被分析物正イオンが追加のガス電子増幅段（ＧＥＭ０）の入射口電極の孔に引き付けられて、孔内部で加速されるように、追加のガス電子増幅段（ＧＥＭ０）の入射口電極と出射口電極との間の電位を決定するようにしてもよい。被分析物正イオンは、追加段（ＧＥＭ０）の入射口電極における孔に入ると加速され、周囲のガス分子に衝突する。この衝突により、被分析物イオンが（たとえば、準安定状態に）励起されて、電子をより高いエネルギー状態にする構成でもよい。高エネルギー状態から基底状態に電子が緩和することにより、光子が放出される。準安定イオンが基底状態に緩和することにより放出される光子は、望ましくは第１のガス電子増幅段（ＧＥＭ１）の入射口電極に配置される光電陰極物質に入射されて、その結果、光電子が放出される。光電子が第１のガス電子増幅段（ＧＥＭ１）の入射口の孔に入射されると、上述した一連の電子なだれが誘発される。]
[0123] 一実施例として、イオン源およびイオンのサンプリング手段又はデバイス２４を備える装置を図７に示す。イオン移動度分離器２５を、イオン源およびイオンのサンプリング手段又はデバイス２４の下流に配置する構成でもよい。少なくともイオンの一部は、イオン移動度に従って、すなわち、イオン移動度分離器２５における電界強度に対するイオン移動度の変化率に従って、分離される。好適な実施例において、イオン検出器２６は、イオン移動度分光計２５の下流に配置される。この実施例の特に好適な特徴として、イオン移動度分光計２５とイオン検出器２６の両方が比較的高い圧力値に保持可能なため、高価で複雑な高圧ポンピングシステムが不要であることが挙げられる。装置全体を携帯型及び／又は可搬型デバイスとして構成してもよい。あるいは、イオン検出器２６を含むイオン移動度分光計を据え付け型すなわち基本的に固定型のデバイスとしてもよい。] 図７
[0124] 装置の上流側端部に配置されるイオン源２４として、レーザー脱離イオン化（Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＬＤＩ）イオン源、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（Ｍａｔｒｉｘ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＭＡＬＤＩ）イオン源、シリコンを用いた脱離イオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ：ＤＩＯＳ）イオン源等のパルスイオン源を用いてもよい。]
[0125] あるいは、イオンパルスを形成するイオンゲートを備える連続イオン源を用いてもよい。この場合、イオン移動度分光計にパルス状のイオンを入力するようなイオンゲートの構成が望ましい。イオンを貯蔵して、定期的にイオンを放出するイオントラップを備える構成でもよい。定期的にパケット状又はパルス状にイオンを放出し、パケット状又はパルス状のイオンがイオン移動度分光計に入力されるように、イオントラップを構成してもよい。]
[0126] 利用可能な連続イオン源の例としては、電子衝撃（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｍｐａｃｔ：ＥＩ）イオン源、化学イオン化（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＣＩ）イオン源、エレクトロスプレーイオン化（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＥＳＩ）イオン源、大気圧化学イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＣＩ）イオン源、大気圧光子イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｐｈｏｔｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＰＩ）イオン源、高速原子衝撃（Ｆａｓｔ Ａｔｏｍ Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ：ＦＡＢ）イオン源、液体二次イオン質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＬＳＩＭＳ）イオン源、電界イオン化（Ｆｉｅｌｄ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＦＩ）イオン源、電界脱離（Ｆｉｅｌｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ：ＦＤ）イオン源が挙げられる。これ以外の連続イオン源や疑似連続イオン源を用いることもできる。]
[0127] イオン移動度分離器２５が、イオン移動度に基づき、又は、イオン移動度に応じて、イオンを時間的に分類するデバイスを備える構成も望ましい。イオン移動度分光計としては、さまざまな形態のものを用いることができる。]
[0128] 一実施例において、イオン移動度分光計又は分離器を、使用時に大気圧以上の圧力に保持されるチャンバ内に備えるようにしてもよい。別の実施例において、イオン移動度分光計又は分離器を、使用時に０．１〜１０ミリバールの範囲内の圧力に保持される真空チャンバ内に備えるようにしてもよい。あるいは、真空チャンバを１０ミリバールより高く、ただし、最大でも大気圧を超えない圧力値に保持するようにしてもよい。場合によっては、真空チャンバを０．１ミリバールより低い圧力値に保持することも可能である。]
[0129] 一実施例において、イオン移動度分離器２５は、管内に分布させた複数のガードリングを有するドリフト管を備えるイオン移動度分離器でもよい。ガードリングを等値抵抗により相互連結し、ＤＣ電圧源に接続するようにしてもよい。ドリフト管の長さ方向に沿って、線形ＤＣ電圧勾配が生じるようにしてもよい。ガードリングは、ＡＣ電圧源又はＲＦ電圧源には接続されない。]
[0130] 別の実施例において、イオン移動度分光計又は分離器２５が、複数のリング電極、環状電極、平板電極、又は、もっと一般的には、イオンの透過が可能な孔を有する電極を備える構成でもよい。イオン移動度分離器が、低圧レベル又は部分減圧レベルに保持されるチャンバ内に配置される複数の電極を備える構成でもよい。イオン移動度分離器を構成する複数の電極を、交互に、逆相のＡＣ電源又はＲＦ電源に接続する構成が望ましい。ＡＣ電源又はＲＦ電源の周波数は、望ましくは０．１〜１０．０ＭＨｚの範囲、より望ましくは０．３〜３．０ＭＨｚの範囲、もっと望ましくは０．５〜２．０ＭＨｚの範囲である。]
[0131] イオン移動度分光計又は分離器を構成する電極が、それぞれ抵抗を介して相互に接続されると共に、ＤＣ電源に接続される構成が望ましい。イオン移動度分光計又は分離器を構成する電極を相互に接続する抵抗がほぼ等しい値であり、軸方向にＤＣ電圧勾配を形成する構成が望ましい。ＤＣ電圧勾配は、線形でもよいし、階段状でもよい。勾配をかけることにより、検出器に近付く方向に、又は、イオン源に近付く方向に、イオンを誘導することができる。印加されるＡＣ電圧又はＲＦ電圧をＤＣ電圧に重ね合わせることにより、イオン移動度分光計又は分離器内で径方向にイオンを閉じ込めることができる。]
[0132] 本発明の別の好適な実施例において、イオン移動度分光計又は分離器２５が、複数の電極を有する進行波イオンガイドを備える構成でもよい。隣接する電極を逆相のＡＣ電源又はＲＦ電源に接続する構成が望ましい。過渡ＤＣ電圧を一つ以上の電極に印加して、一つ以上のポテンシャルの山又はポテンシャル障壁を形成する構成も望ましい。イオン源に近付くようにイオンを駆動・誘導する方向に、又は、イオン検出器２６に近付くようにイオンを駆動・誘導する方向に、イオンガイドの軸に沿って、一つ以上のポテンシャルの山若しくはポテンシャル障壁が動くように、過渡ＤＣ電圧を一連の電極に漸次印加する構成も望ましい。]
[0133] イオン移動度分光計２５内部にガスが存在することにより、イオン移動度分光計２５を通るイオンの動きに粘性抵抗が加わる。ポテンシャルの山又はポテンシャル障壁をイオンが時折滑り落ちるように、イオン移動度分光計２５を構成する電極に過渡的に印加される一つ以上のポテンシャルの山又はポテンシャル障壁の振幅および平均速度を設定する。イオン移動度が低ければ低いほど、ポテンシャルの山又はポテンシャル障壁をイオンが滑り落ちる可能性が高くなる。したがって、異なる移動度のイオンを異なる速度で輸送することが可能になり、イオン移動度分光計を構成する電極に一つ以上の過渡ＤＣ電圧又は電位を印加することによって、イオンを分類することができる。]
[0134] 別の実施例において、イオン移動度分光計又は分離器２５が、参照することにより本明細書に組み込まれるＷＯ２００６／０８５１１０に詳述されるデバイスを備える構成でもよい。デバイス又はイオン移動度分光計は、望ましくは、上部平坦電極と、下部平坦電極と、複数の中間電極と、を備える。イオンガイド内にイオンガイド領域を形成する構成が望ましい。望ましくは、非対称電圧波形を上部電極に印加し、ＤＣ補償電圧を下部電極に印加する。]
[0135] 別の実施例において、イオン移動度分光計又は分離器２５が、参照することにより本明細書に組み込まれるＷＯ２００６／０５９１２３に詳述されるデバイスを備える構成でもよい。イオン移動度分光計又はデバイスは、望ましくは、一層以上の中間平坦電極層、中間平板電極層、又は中間メッシュ電極層を備える。第１の電極アレイが上面に、また、第２の電極アレイが下面に備えられる構成も望ましい。イオンガイド内にイオンガイド領域を形成する構成が望ましい。イオンガイドを通して、また、イオンガイドに沿って、イオンを駆動する、進める、押し出す、又は、加速するように、一つ以上の過渡ＤＣ電圧又は電位を第１の電極アレイ及び／又は第２の電極アレイに印加する構成も望ましい。]
[0136] 好適な実施例において、検出器を、微分イオン移動度分離器又は電界非対称性イオン移動度分光計（Ｆｉｅｌｄ Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｉｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：ＦＡＩＭＳ）デバイスと共に用いるようにしてもよい。]
[0137] 別の実施例において、イオン移動度分光計又は分離器２５を、参照することにより本明細書に組み込まれるＷＯ２００４／１０９７４１に詳述される構成としてもよい。イオン移動度分光計は、望ましくは、キャリアガスの層流内にイオンを取り込むことによって、イオンを抽出するように構成される。障壁領域を設けて、キャリアガスの層流に電界をかける構成が望ましい。層流内に取り込まれたイオンの少なくとも一部は電界を通過しないように、電界の大きさと方向を選択することが望ましい。また、所定の特性を有するイオンの電界通過を可能にするように電界を変化させることが望ましい。]
[0138] 好適な実施例において、イオン検出器２６は、低エネルギー正イオンと低エネルギー負イオンの両方を検出可能に構成されるガス電子なだれ増幅デバイスを備える。]
[0139] 別の実施例として、イオン源およびイオンのサンプリング手段又はデバイス２４を備える質量分析計を図８に示す。質量分析計は、望ましくは、さらに、質量分析器２７とイオン検出器２６とを備える。装置すなわち質量分析計を携帯型及び／又は可搬型デバイスとして構成してもよい。あるいは、質量分析計を据え付け型すなわち固定型のデバイスとしてもよい。] 図８
[0140] 装置すなわち質量分析計の上流端部にイオン源２４を配置するようにしてもよい。イオン源としては、たとえば、レーザー脱離イオン化（Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＬＤＩ）イオン源、マトリックス支援レーザー脱離イオン化（Ｍａｔｒｉｘ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＭＡＬＤＩ）イオン源、シリコンを用いた脱離イオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ：ＤＩＯＳ）イオン源等のパルスイオン源を用いてもよい。あるいは、連続イオン源を用いるようにしてもよい。連続イオン源としては、電子衝撃（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｍｐａｃｔ：ＥＩ）イオン源、化学イオン化（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＣＩ）イオン源、エレクトロスプレーイオン化（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＥＳＩ）イオン源、大気圧化学イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＣＩ）イオン源、大気圧光子イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｐｈｏｔｏｎ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＰＩ）イオン源、高速原子衝撃（Ｆａｓｔ Ａｔｏｍ Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ：ＦＡＢ）イオン源、液体二次イオン質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＬＳＩＭＳ）イオン源、電界イオン化（Ｆｉｅｌｄ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＦＩ）イオン源、電界脱離（Ｆｉｅｌｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ：ＦＤ）イオン源が挙げられる。これ以外の連続イオン源や疑似連続イオン源を用いることもできる。]
[0141] 一実施例において、質量分析計を、大気圧又は大気圧近傍の圧力レベルで動作させ、参照することにより本明細書に組み込まれるＧＢ−２３６９７２２に開示される構成としてもよい。この実施例に従う質量分析計は、イオン源と遠心質量分離器とを備える。イオン源と遠心質量分離器の下流に質量分析器を配置する構成が望ましい。遠心質量分離器は、望ましくは、試料入口と乾燥ガス用入口とを有するチャンバを備える。少なくとも入口の一つが、チャンバに対して試料又は乾燥ガスを接線方向に注入可能な配置であることが望ましい。遠心力を利用して、チャンバ内で粒子を分類することが可能である。]
[0142] 別の実施例において、質量分析計を、０．１ミリバール〜１０ミリバールの範囲の圧力レベルで動作させ、参照することにより本明細書に組み込まれるＷＯ２００８／０７１９６７に開示される質量選択の原理を利用する構成としてもよい。この実施例に従う質量分析計は、時間的にイオンを分類するデバイスを備える。第１の動作モードでは、イオン移動度に従ってイオンが時間的に分類されるように、デバイスを配置および構成する。第２の動作モードでは、質量対電荷比に従ってイオンが分類されるようにデバイスを配置および構成する。]
[0143] また別の実施例において、質量分析計を、参照することにより本明細書に組み込まれるＷＯ２００５／０６７０００に開示されるデバイスを備える構成としてもよい。この実施例では、イオンはガス体内部に供給される。ポンデロモーティブ・イオン捕獲ポテンシャルが通常は軸方向に沿って生成され、抽出領域からのイオンの抽出を防ぐ有効ポテンシャルを与えるように、他のポテンシャルが生成される構成が望ましい。ここで、望ましくは、イオンが有効ポテンシャル内に捕獲される。このデバイスが、さらに、所定の質量対電荷比又は所定のイオン移動度を有するイオンを選択的に抽出領域から抽出するデバイスを備える構成も望ましい。抽出領域からのイオンの抽出を防ぐという有効ポテンシャルの特性は、少なくとも部分的に、ポンデロモーティブ・イオン捕獲ポテンシャルの生成に起因する。]
[0144] 別の実施例において、質量分析計が、参照することにより本明細書に組み込まれるＷＯ２００７／０１０２７２に開示されるデバイスを備える構成としてもよい。質量分析計は、望ましくは、複数の電極を有する質量選択的又は質量対電荷比選択的なイオントラップを備える。第１のマスフィルター又は質量分析器を、質量選択的又は質量対電荷比選択的なイオントラップの下流に配置する構成が望ましい。さらに、制御デバイスを備え、質量に応じて、又は、質量対電荷比に応じて、イオントラップからイオンを選択的に放出するように制御デバイスを配置および構成することが望ましい。また、イオントラップからのイオンの選択的な放出にほぼ同期させて、第１のマスフィルター又は質量分析器をスキャンするような制御デバイスの配置および構成も望ましい。]
[0145] 別の実施例において、質量分析計を、０．１ミリバール未満の圧力レベルや１０ミリバールより大きな圧力レベルで動作させる構成でもよい。]
[0146] 複数の分離段をタンデムに配置する構成も可能である。たとえば、イオン源とイオンのサンプリング手段とを備える構成でもよい。質量分析計の上流側となるイオン移動度分光計又は分離器を、イオン源の下流に配置する構成も望ましい。また、イオン検出器を質量分析計の一部とする構成も望ましい。]
[0147] 以上、本発明をその好適な実施例を参照して詳述したが、本発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、当業者には自明のことであるが、特許請求の範囲に記載される本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の形態および態様において実施することが可能である。]

权利要求:

請求項1
質量分析計であって、ガス電子増幅イオン検出器を備える、質量分析計。
請求項2
請求項１に記載の質量分析計であって、さらに、（ａ）前記イオン検出器を（ｉ）１０００ミリバール未満の値、（ｉｉ）１００ミリバール未満の値、（ｉｉｉ）１０ミリバール未満の値、（ｉｖ）１ミリバール未満の値、（ｖ）０．１ミリバール未満の値、（ｖｉ）０．０１ミリバール未満の値、（ｖｉｉ）０．００１ミリバール未満の値、（ｖｉｉｉ）０．０００１ミリバール未満の値、（ｉｘ）０．００００１ミリバール未満の値、からなる群から選択される圧力に維持する、及び／又は、（ｂ）前記イオン検出器を（ｉ）１０００ミリバールより大きい値、（ｉｉ）１００ミリバールより大きい値、（ｉｉｉ）１０ミリバールより大きい値、（ｉｖ）１ミリバールより大きい値、（ｖ）０．１ミリバールより大きい値、（ｖｉ）０．０１ミリバールより大きい値、（ｖｉｉ）０．００１ミリバールより大きい値、（ｖｉｉｉ）０．０００１ミリバールより大きい値、からなる群から選択される圧力における動作モードに維持する、及び／又は、（ｃ）前記イオン検出器を（ｉ）０．０００１から０．００１ミリバールの範囲の値、（ｉｉ）０．００１から０．０１ミリバールの範囲の値、（ｉｉｉ）０．０１から０．１ミリバールの範囲の値、（ｉｖ）０．１から１ミリバールの範囲の値、（ｖ）１から１０ミリバールの範囲の値、（ｖｉ）１０から１００ミリバールの範囲の値、（ｖｉｉ）１００から１０００ミリバールの範囲の値、からなる群から選択される圧力における動作モードに維持する、ように配置および構成されるデバイスを備える、質量分析計。
請求項3
請求項１又は２に記載の質量分析計であって、前記イオン検出器は、（ｉ）１ｅＶ未満の値、（ｉｉ）１から５ｅＶの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０ｅＶの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５ｅＶの範囲の値、（ｖ）１５から２０ｅＶの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５ｅＶの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０ｅＶの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５ｅＶの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０ｅＶの範囲の値、（ｘ）４０から４５ｅＶの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０ｅＶの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５ｅＶの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０ｅＶの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５ｅＶの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０ｅＶの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５ｅＶの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０ｅＶの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５ｅＶの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０ｅＶの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００から１０５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）１０５から１１０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉｖ）１１０から１１５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｖ）１１５から１２０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｖｉ）１２０から１２５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）１２５から１３０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０から１３５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｉｘ）１３５から１４０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘ）１４０から１４５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉ）１４５から１５０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）１５０から１５５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５から１６０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）１６０から１６５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｖ）１６５から１７０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｖｉ）１７０から１７５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５から１８０ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０から１８５ｅＶの範囲の値、（ｘｘｘｉｘ）１８５から１９０ｅＶの範囲の値、（ｘｌ）１９０から１９５ｅＶの範囲の値、（ｘｌｉ）１９５から２００ｅＶの範囲の値、（ｘｌｉｉ）２００ｅＶより大きい値、からなる群から選択されるエネルギーを有するイオンを検出するように配置および構成される、質量分析計。
請求項4
請求項１、２、３のいずれかに記載の質量分析計であって、前記イオン検出器が、第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段を備える、質量分析計。
請求項5
請求項４に記載の質量分析計であって、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段の上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、又は、９５から１００％が、第１の表面層又は第１の被膜を備え、前記第１の表面層又は第１の被膜は、（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、質量分析計。
請求項6
請求項１〜５のいずれかに記載の質量分析計であって、前記イオン検出器が、第２の箔層、第２の基板、又は、第２のガス電子増幅段を備える、質量分析計。
請求項7
請求項６に記載の質量分析計であって、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段の上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、又は、９５から１００％が、第２の表面層又は第２の被膜を備え、前記第２の表面層又は第２の被膜は、（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、質量分析計。
請求項8
請求項１〜７のいずれかに記載の質量分析計であって、前記イオン検出器が、第３の箔層、第３の基板、又は、第３のガス電子増幅段を備える、質量分析計。
請求項9
請求項８に記載の質量分析計であって、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段の上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、又は、９５から１００％が、第３の表面層又は第３の被膜を備え、前記第３の表面層又は第３の被膜は、（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、質量分析計。
請求項10
請求項１〜９のいずれかに記載の質量分析計であって、前記イオン検出器が、第４の箔層、第４の基板、又は、第４のガス電子増幅段を備える、質量分析計。
請求項11
請求項１０に記載の質量分析計であって、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、又は、９５から１００％が、第４の表面層又は第４の被膜を備え、前記第４の表面層又は第４の被膜は、（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、質量分析計。
請求項12
請求項４〜１１のいずれかに記載の質量分析計であって、前記第１の表面層又は第１の被膜、及び／又は、前記第２の表面層又は第２の被膜、及び／又は、前記第３の表面層又は第３の被膜、及び／又は、前記第４の表面層又は第４の被膜は、（ｉ）ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と、（ｉｉ）テルル化セシウム（ＣｓＴｅ）と、（ｉｉｉ）αＣＨ：Ｎ、非晶質炭素、又は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）と、（ｉｖ）銅と、（ｖ）アルミニウムと、（ｖｉ）酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、（ｖｉｉ）フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）と、（ｖｉｉｉ）タングステンと、からなる群から選択される、質量分析計。
請求項13
請求項４〜１２のいずれかに記載の質量分析計であって、（ａ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段、及び／又は、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段、及び／又は、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段、及び／又は、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段は、（ｉ）カプトン（ＲＴＭ）と、（ｉｉ）ポリテトラフルオロエチレンと、（ｉｉｉ）セラミックと、（ｉｖ）ガラスと、（ｖ）プラスチック材料と、（ｖｉ）絶縁材料と、（ｖｉｉ）ポリマーシートと、からなる群から選択される物質から形成される、及び／又は、（ｂ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段、及び／又は、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段、及び／又は、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段、及び／又は、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段は、（ｉ）１μｍ未満の値、（ｉｉ）１から５μｍの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０μｍの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５μｍの範囲の値、（ｖ）１５から２０μｍの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５μｍの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０μｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５μｍの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０μｍの範囲の値、（ｘ）４０から４５μｍの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０μｍの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５μｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０μｍの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５μｍの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０μｍの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５μｍの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０μｍの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５μｍの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００から２００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）２００から３００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｖ）３００から４００μｍの範囲の値、（ｘｘｖ）４００から５００μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉ）５００から６００μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）６００から７００μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）７００から８００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｘ）８００から９００μｍの範囲の値、（ｘｘｘ）９００から１０００μｍの範囲の値、（ｘｘｘｉ）１から２ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）２から３ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）３から４ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）４から５ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｖ）５ｍｍより大きい値、からなる群から選択される厚みを有する、及び／又は、（ｃ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段、及び／又は、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段、及び／又は、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段、及び／又は、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面は、銅や他の金属又は導電性被膜又は層で被覆される、及び／又は、（ｄ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段、及び／又は、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段、及び／又は、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段、及び／又は、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面は、（ｉ）１μｍ未満の値、（ｉｉ）１から５μｍの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０μｍの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５μｍの範囲の値、（ｖ）１５から２０μｍの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５μｍの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０μｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５μｍの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０μｍの範囲の値、（ｘ）４０から４５μｍの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０μｍの範囲の値、（ｘｉｉ）５０μｍより大きい値、からなる群から選択される厚みを有する銅や他の金属又は導電性被膜で被覆される、及び／又は、（ｅ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段、及び／又は、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段、及び／又は、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段、及び／又は、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段は、（ｉ）１μｍ未満の値、（ｉｉ）１から５μｍの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０μｍの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５μｍの範囲の値、（ｖ）１５から２０μｍの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５μｍの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０μｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５μｍの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０μｍの範囲の値、（ｘ）４０から４５μｍの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０μｍの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５μｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０μｍの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５μｍの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０μｍの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５μｍの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０μｍの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５μｍの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００μｍより大きい値、からなる群から選択される最大直径及び／又は最小直径を有する複数の孔を備える、及び／又は、（ｆ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段、及び／又は、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段、及び／又は、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段、及び／又は、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段は、管状、円錐形、バイコニカル（双円錐形）、又は凹型の溝を有する複数の孔を備える、及び／又は、（ｇ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段、及び／又は、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段、及び／又は、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段、及び／又は、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段は、（ｉ）１μｍ未満の値、（ｉｉ）１から５μｍの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０μｍの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５μｍの範囲の値、（ｖ）１５から２０μｍの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５μｍの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０μｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５μｍの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０μｍの範囲の値、（ｘ）４０から４５μｍの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０μｍの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５μｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０μｍの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５μｍの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０μｍの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０μｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５μｍの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０μｍの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５μｍの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００から１１０μｍの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）１１０から１２０μｍの範囲の値、（ｘｘｉｖ）１２０から１３０μｍの範囲の値、（ｘｘｖ）１３０から１４０μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉ）１４０から１５０μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）１５０から１６０μｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）１６０から１７０μｍの範囲の値、（ｘｘｉｘ）１７０から１８０μｍの範囲の値、（ｘｘｘ）１８０から１９０μｍの範囲の値、（ｘｘｘｉ）１９０から２００μｍの範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）２００μｍより大きい値、からなる群から選択されるピッチを有する複数の孔を備える、及び／又は、（ｈ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段の上面と下面との間で電圧又は電位差が保持され、前記電圧又は電位差は、（ｉ）５０Ｖより小さい値、（ｉｉ）５０から１００Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１５０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）１５０から２００Ｖの範囲の値、（ｖ）２００から２５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）２５０から３００Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）３００から３５０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３５０から４００Ｖの範囲の値、（ｉｘ）４００から４５０Ｖの範囲の値、（ｘ）４５０から５００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）５００から５５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）５５０から６００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）６００から６５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）６５０から７００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）７００から７５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）７５０から８００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）８００から８５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８５０から９００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）９００から９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）９５０から１０００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｉ）前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段の上面と下面との間で電圧又は電位差が保持され、前記電圧又は電位差は、（ｉ）５０Ｖより小さい値、（ｉｉ）５０から１００Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１５０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）１５０から２００Ｖの範囲の値、（ｖ）２００から２５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）２５０から３００Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）３００から３５０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３５０から４００Ｖの範囲の値、（ｉｘ）４００から４５０Ｖの範囲の値、（ｘ）４５０から５００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）５００から５５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）５５０から６００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）６００から６５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）６５０から７００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）７００から７５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）７５０から８００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）８００から８５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８５０から９００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）９００から９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）９５０から１０００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｊ）前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段の上面と下面との間で電圧又は電位差が保持され、前記電圧又は電位差は、（ｉ）５０Ｖより小さい値、（ｉｉ）５０から１００Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１５０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）１５０から２００Ｖの範囲の値、（ｖ）２００から２５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）２５０から３００Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）３００から３５０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３５０から４００Ｖの範囲の値、（ｉｘ）４００から４５０Ｖの範囲の値、（ｘ）４５０から５００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）５００から５５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）５５０から６００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）６００から６５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）６５０から７００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）７００から７５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）７５０から８００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）８００から８５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８５０から９００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）９００から９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）９５０から１０００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｋ）前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段の上面と下面との間で電圧又は電位差が保持され、前記電圧又は電位差は、（ｉ）５０Ｖより小さい値、（ｉｉ）５０から１００Ｖの範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１５０Ｖの範囲の値、（ｉｖ）１５０から２００Ｖの範囲の値、（ｖ）２００から２５０Ｖの範囲の値、（ｖｉ）２５０から３００Ｖの範囲の値、（ｖｉｉ）３００から３５０Ｖの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３５０から４００Ｖの範囲の値、（ｉｘ）４００から４５０Ｖの範囲の値、（ｘ）４５０から５００Ｖの範囲の値、（ｘｉ）５００から５５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｉ）５５０から６００Ｖの範囲の値、（ｘｉｉｉ）６００から６５０Ｖの範囲の値、（ｘｉｖ）６５０から７００Ｖの範囲の値、（ｘｖ）７００から７５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉ）７５０から８００Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉ）８００から８５０Ｖの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８５０から９００Ｖの範囲の値、（ｘｉｘ）９００から９５０Ｖの範囲の値、（ｘｘ）９５０から１０００Ｖの範囲の値、（ｘｘｉ）１０００Ｖより大きい値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｌ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段における孔内に、及び／又は、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段における孔内に、及び／又は、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段における孔内に、及び／又は、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段における孔内に電界が保持され、前記電界が、（ｉ）１０ｋＶ／ｃｍより小さい値、（ｉｉ）１０から２０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｉｉｉ）２０から３０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｉｖ）３０から４０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｖ）４０から５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｖｉ）５０から６０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｖｉｉ）６０から７０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）７０から８０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｉｘ）８０から９０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘ）９０から１００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉ）１００から１５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉｉ）１５０から２００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から２５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉｖ）２５０から３００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｖ）３００から３５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｖｉ）３５０から４００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）４００から４５０ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）４５０から５００ｋＶ／ｃｍの範囲の値、（ｘｉｘ）５００ｋＶ／ｃｍより大きい値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｍ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段、及び／又は、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段、及び／又は、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段、及び／又は、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段の間の中心間距離が、（ｉ）０．２ｍｍより小さい値、（ｉｉ）０．２から０．４ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）０．４から０．６ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）０．６から０．８ｍｍの範囲の値、（ｖ）０．８から１．０ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）１．０から１．２ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）１．２から１．４ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．４から１．６ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）１．６から１．８ｍｍの範囲の値、（ｘ）１．８から２．０ｍｍの範囲の値、（ｘｉ）２．０から２．２ｍｍの範囲の値、（ｘｉｉ）２．２から２．４ｍｍの範囲の値、（ｘｉｉｉ）２．４から２．６ｍｍの範囲の値、（ｘｉｖ）２．６から２．８ｍｍの範囲の値、（ｘｖ）２．８から３．０ｍｍの範囲の値、（ｘｖｉ）３．０から３．２ｍｍの範囲の値、（ｘｖｉｉ）３．２から３．４ｍｍの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）３．４から３．６ｍｍの範囲の値、（ｘｉｘ）３．６から３．８ｍｍの範囲の値、（ｘｘ）３．８から４．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉ）４．０から４．２ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉｉ）４．２から４．４ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）４．４から４．６ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉｖ）４．６から４．８ｍｍの範囲の値、（ｘｘｖ）４．８から５．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｖｉ）５．０から６．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）６．０から７．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）７．０から８．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｉｘ）８．０から９．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘ）９．０から１０．０ｍｍの範囲の値、（ｘｘｘｉ）１０．０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｎ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段と、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段との間に電荷遮断メッシュ電極を備える、及び／又は、（ｏ）前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段と、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段との間に電荷遮断メッシュ電極を備える、及び／又は、（ｐ）前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段と、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段との間に電荷遮断メッシュ電極を備える、及び／又は、（ｑ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に、一つ以上のアノード及び／又は一つ以上のカソードを備える、及び／又は、（ｒ）前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に、一つ以上のアノード及び／又は一つ以上のカソードを備える、及び／又は、（ｓ）前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に、一つ以上のアノード及び／又は一つ以上のカソードを備える、及び／又は、（ｔ）前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に、一つ以上のアノード及び／又は一つ以上のカソードを備える、質量分析計。
請求項14
請求項４〜１３のいずれかに記載の質量分析計であって、前記イオン検出器は、一つ以上の電極、対向電極、又はカソードを備え前記一つ以上の電極、対向電極、又はカソードは、（ｉ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段に隣接する、及び／又は、向き合う、及び／又は、対向する、及び／又は、（ｉｉ）前記イオン検出器のドリフト又は入力領域内である、及び／又は、（ｉｉｉ）被分析物陽イオン（カチオン）を受け取り、二次電子及び／又は二次陰イオン（アニオン）及び／又は二次陽イオン（カチオン）を放出する、ように構成される、質量分析計。
請求項15
請求項１４に記載の質量分析計であって、前記一つ以上の電極、対向電極、又はカソードは、（ｉ）一つ以上の平坦電極、及び／又は、（ｉｉ）一つ以上のグリッド電極又はメッシュ電極、及び／又は、（ｉｉｉ）使用時にイオン又は被分析物カチオンが透過可能な一つ以上の孔を有する一つ以上の電極を含む、質量分析計。
請求項16
請求項１４又は１５に記載の質量分析計であって、前記一つ以上の電極、対向電極、又はカソードの上面及び／又は下面の０から５％、５から１０％、１０から１５％、１５から２０％、２０から２５％、２５から３０％、３０から３５％、３５から４０％、４０から４５％、４５から５０％、５０から５５％、５５から６０％、６０から６５％、６５から７０％、７０から７５％、７５から８０％、８０から８５％、８５から９０％、９０から９５％、９５から１００％が、表面層又は被覆を備え、前記表面層又は被覆は、（ｉ）二次イオン及び／又は電子の収率を増大させるように配置および構成される、及び／又は、（ｉｉ）光子を受け取り、光電子を放出するように配置及び構成される光電陰極層である、質量分析計。
請求項17
請求項１６に記載の質量分析計であって、前記表面被膜は、（ｉ）ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）と、（ｉｉ）テルル化セシウム（ＣｓＴｅ）と、（ｉｉｉ）αＣＨ：Ｎ、非晶質炭素、又は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）と、（ｉｖ）銅と、（ｖ）アルミニウムと、（ｖｉ）酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、（ｖｉｉ）フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）と、（ｖｉｉｉ）タングステンと、からなる群から選択される、質量分析計。
請求項18
請求項１４〜１７のいずれかに記載の質量分析計であって、（ｉ）前記一つ以上の電極、対向電極、又はカソードが、使用時に、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段の上面及び／又は下面に対して、負電位に保たれる、及び／又は、（ｉｉ）正電荷を持つ被分析物イオンが、使用時に、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段から離れる方向に加速され、かつ、前記一つ以上の電極、対向電極、又はカソードに近付く方向に加速される、及び／又は、（ｉｉｉ）正電荷を持つ被分析物イオンが、使用時に、前記一つ以上の電極、対向電極、又はカソードの表面に激突して、二次陰イオン（アニオン）及び／又は二次陽イオン（カチオン）及び／又は二次電子を生成する、及び／又は、（ｉｖ）二次陰イオン（アニオン）及び／又は二次陽イオン（カチオン）及び／又は二次電子の少なくとも一部が、使用時に、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段における一つ以上の孔を通って加速される、及び／又は、（ｖ）前記一つ以上の電極、対向電極、又はカソードから放出される二次陰イオン（アニオン）及び／又は二次陽イオン（カチオン）及び／又は二次電子の少なくとも一部が、使用時に、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段の表面に激突して、さらに電子を生成する、及び／又は、（ｖｉ）負電荷を持つ被分析物イオンが、使用時に、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段における一つ以上の孔を通って加速される、及び／又は、（ｖｉｉ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段の上面及び／又は下面上に配置される一つ以上のアノードに電子を向かわせることにより、複数の電子及び／又は光子が生成される、及び／又は、（ｖｉｉｉ）前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段の上面及び／又は下面上に配置される一つ以上のアノードに電子を向かわせることにより、複数の電子及び／又は光子が生成される、及び／又は、（ｉｘ）前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段の上面及び／又は下面上に配置される一つ以上のアノードに電子を向かわせることにより、複数の電子及び／又は光子が生成される、及び／又は、（ｘ）前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段の上面及び／又は下面上に配置される一つ以上のアノードに電子を向かわせることにより、複数の電子及び／又は光子が生成される、及び／又は、（ｘｉ）前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段と、前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段との間に位置する電荷遮断メッシュ電極を、電子なだれにより生成された光子が通過する、及び／又は、（ｘｉｉ）前記第２の箔層、前記第２の基板、又は、前記第２のガス電子増幅段と、前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段との間に位置する電荷遮断メッシュ電極を、電子なだれにより生成された光子が通過する、及び／又は、（ｘｉｉｉ）前記第３の箔層、前記第３の基板、又は、前記第３のガス電子増幅段と、前記第４の箔層、前記第４の基板、又は、前記第４のガス電子増幅段との間に位置する電荷遮断メッシュ電極を、電子なだれにより生成された光子が通過する、及び／又は、（ｘｉｖ）正電荷を持つ被分析物イオンが、使用時に、（ｉ）１ｍｍ／μｓより小さい値、（ｉｉ）１から５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｉｖ）１０から１５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｖ）１５から２０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｖｉ）２０から２５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｉｘ）３５から４０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘ）４０から４５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉ）４５から５０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｖ）６５から７０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｘ）９０から９５ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００ｍｍ／μｓの範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００ｍｍ／μｓより大きい値、からなる群から選択される速度で、前記一つ以上の電極、対向電極、又はカソードの表面に激突する、質量分析計。
請求項19
請求項１〜１８のいずれかに記載の質量分析計であって、さらに、（ｉ）一つ以上の読み出し電極、及び／又は、（ｉｉ）一つ以上の光電子増倍管（ＰＭＴ）、及び／又は、（ｉｉｉ）一つ以上の電荷結合検出器（ＣＣＤ）を備える、質量分析計。
請求項20
請求項１〜１９のいずれかに記載の質量分析計であって、さらに、（ａ）イオン源であって、（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＥＳＩ）イオン源と、（ｉｉ）大気圧光イオン化（ＡｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃＰｒｅｓｓｕｒｅＰｈｏｔｏＩｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＰＩ）イオン源と、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（ＡｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃＰｒｅｓｓｕｒｅＣｈｅｍｉｃａｌＩｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＣＩ）イオン源と、（ｉｖ）マトリックス支援レーザー脱離イオン化（ＭａｔｒｉｘＡｓｓｉｓｔｅｄＬａｓｅｒＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎＩｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＭＡＬＤＩ）イオン源と、（ｖ）レーザー脱離イオン化（ＬａｓｅｒＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎＩｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＬＤＩ）イオン源と、（ｖｉ）大気圧イオン化（ＡｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃＰｒｅｓｓｕｒｅＩｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＰＩ）イオン源と、（ｖｉｉ）シリコンを用いた脱離イオン化（ＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎＩｏｎｉｚａｔｉｏｎｏｎＳｉｌｉｃｏｎ：ＤＩＯＳ）イオン源と、（ｖｉｉｉ）電子衝撃（ＥｌｅｃｔｒｏｎＩｍｐａｃｔ：ＥＩ）イオン源と、（ｉｘ）化学イオン化（ＣｈｅｍｉｃａｌＩｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＣＩ）イオン源と、（ｘ）電界イオン化（ＦｉｅｌｄＩｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＦＩ）イオン源と、（ｘｉ）電界脱離（ＦｉｅｌｄＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎ：ＦＤ）イオン源と、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ：ＩＣＰ）イオン源と、（ｘｉｉｉ）高速原子衝撃（ＦａｓｔＡｔｏｍＢｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ：ＦＡＢ）イオン源と、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（ＬｉｑｕｉｄＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＬＳＩＭＳ）イオン源と、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（ＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙＩｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＤＥＳＩ）イオン源と、（ｘｖｉ）ニッケル６３放射性イオン源と、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザー脱離イオン化イオン源と、（ｘｖｉｉｉ）サーモスプレーイオン源と、（ｘｉｘ）大気圧サンプリング・グロー放電イオン化（ＡｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃＳａｍｐｌｉｎｇＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅＩｏｎｉｚａｔｉｏｎ：ＡＳＧＤＩ）イオン源と、（ｘｘ）グロー放電（ＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅ：ＧＤ）イオン源と、からなる群から選択されるイオン源、及び／又は、（ｂ）一つ以上の連続イオン源又はパルスイオン源、及び／又は、（ｃ）一つ以上のイオンガイド、及び／又は、（ｄ）一つ以上のイオン移動度分離装置及び／又は一つ以上の電界非対称性イオン移動度分光計装置、及び／又は、（ｅ）一つ以上のイオントラップあるいは一つ以上のイオン捕獲領域、及び／又は、（ｆ）一つ以上の衝突セル、フラグメンテーション（断片化）セル又は反応セルであって、（ｉ）衝突誘起解離（ＣｏｌｌｉｓｉｏｎａｌＩｎｄｕｃｅｄＤｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＣＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｉ）表面誘起解離（ＳｕｒｆａｃｅＩｎｄｕｃｅｄＤｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＳＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｉｉ）電子移動解離（ＥｌｅｃｔｒｏｎＴｒａｎｓｆｅｒＤｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＴＤ）フラグメンテーション装置と、（ｉｖ）電子捕獲解離（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣａｐｔｕｒｅＤｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＣＤ）フラグメンテーション装置と、（ｖ）電子衝突又は電子衝撃解離フラグメンテーション装置と、（ｖｉ）光誘起解離（ＰｈｏｔｏＩｎｄｕｃｅｄＤｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＰＩＤ）フラグメンテーション装置と、（ｖｉｉ）レーザー誘起解離フラグメンテーション装置と、（ｖｉｉｉ）赤外線誘起解離装置と、（ｉｘ）紫外線誘起解離装置と、（ｘ）ノズル・スキマー・インターフェース・フラグメンテーション装置と、（ｘｉ）インソースフラグメンテーション装置と、（ｘｉｉ）インソース衝突誘起解離フラグメンテーション装置と、（ｘｉｉｉ）熱源又は温度源フラグメンテーション装置と、（ｘｉｖ）電場誘起フラグメンテーション装置と、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉ）酵素消化又は酵素分解フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーション装置と、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーション装置と、（ｘｘｉｉｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−イオン反応装置と、（ｘｘｉｖ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−分子反応装置と、（ｘｘｖ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−原子反応装置と、（ｘｘｖｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−準安定イオン反応装置と、（ｘｘｖｉｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−準安定分子反応装置と、（ｘｘｖｉｉｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを形成するイオン−準安定原子反応装置と、（ｘｘｉｘ）電子イオン化解離（ＥｌｅｃｔｒｏｎＩｏｎｉｚａｔｉｏｎＤｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：ＥＩＤ）フラグメンテーション装置と、からなる群から選択される一つ以上の衝突セル、フラグメンテーションセル又は反応セル、及び／又は、（ｇ）質量分析器であって、（ｉ）四重極質量分析器と、（ｉｉ）２次元又はリニア四重極質量分析器と、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）トラップ型又は３次元四重極質量分析器と、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）トラップ型質量分析器と、（ｖ）イオントラップ型質量分析器と、（ｖｉ）磁場型質量分析器と、（ｖｉｉ）飛行時間型質量分析器と、（ｖｉｉｉ）直交加速飛行時間型質量分析器と、（ｉｘ）線形加速飛行時間型質量分析器と、からなる群から選択される質量分析器、及び／又は、（ｈ）一つ以上のエネルギー分析器又は静電エネルギー分析器、及び／又は、（ｉ）一つ以上のイオン検出器、及び／又は、（ｊ）一つ以上のマスフィルターであって、（ｉ）四重極マスフィルターと、（ｉｉ）２次元又はリニア四重極イオントラップと、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）型又は３次元四重極イオントラップと、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）型イオントラップと、（ｖ）イオントラップと、（ｖｉ）磁場型マスフィルターと、（ｖｉｉ）飛行時間型マスフィルターと、（ｖｉｉｉ）ウィーン（Ｗｅｉｎ）フィルターと、からなる群から選択される一つ以上のマスフィルター、及び／又は、（ｋ）ほぼ連続的なイオンビームをパルス状のイオンビームに変換するデバイス、を備える、質量分析計。
請求項21
請求項１〜２０のいずれかに記載の質量分析計であって、さらに、Ｃ型トラップと、質量分析器と、を備え、第１動作モード下では、イオンは、前記Ｃ型トラップに導入された後、前記質量分析器に入射され、第２動作モード下では、イオンは、前記Ｃ型トラップに続いて、衝突セル、フラグメンテーションセル、若しくは、反応セル、又は、電子移動解離及び／又はプロトン移動反応装置に導入されて、少なくとも一部のイオンがフラグメントイオンに断片化され、及び／又は、少なくとも一部のイオンが反応してプロダクトイオンを生成し、前記フラグメントイオン及び／又は前記プロダクトイオンは、前記Ｃ型トラップに導入された後、前記質量分析器に入射される、質量分析計。
請求項22
請求項１〜２１のいずれかに記載の質量分析計であって、前記イオン検出器が、（ｉ）１０未満の値、（ｉｉ）１０から１００の範囲の値、（ｉｉｉ）１００から１０００の範囲の値、（ｉｖ）１０3から１０4の範囲の値、（ｖ）１０4から１０5の範囲の値、（ｖｉ）１０5から１０6の範囲の値、（ｖｉｉ）１０6から１０7の範囲の値、（ｖｉｉｉ）１０7より大きい値、からなる群から選択されるゲインを有する、質量分析計。
請求項23
質量分析方法であって、ガス電子増幅イオン検出器を用いて、イオンを検出する工程を備える、質量分析方法。
請求項24
装置であって、第１の複数の電極、及び／又は、第２の複数の電極を有するイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置を備えるイオン移動度分光計と、前記イオン移動度分光計から、及び／又は、前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置から出てくるイオンを検出するように配置及び構成されるガス電子増幅イオン検出器と、を備える装置。
請求項25
請求項２４に記載の装置であって、（ａ）前記イオン移動度分光計は、イオン移動度に従ってイオンを時間的に分類するように構成される、及び／又は（ｂ）前記イオン移動度分光計は、電界強度とイオン移動度の変化率に従ってイオンを時間的に分類するように配置および構成される電界非対称性イオン移動度分光計（ＦｉｅｌｄＡｓｙｍｍｅｔｒｉｃＩｏｎＭｏｂｉｌｉｔｙＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：ＦＡＩＭＳ）を備える、及び／又は、（ｃ）使用時に、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置内にバッファガス、反応ガス、又はフラグメンテーションガスを供給する、及び／又は、（ｄ）前記イオン移動度分光計は、気相電気泳動装置を備える、及び／又は、（ｅ）前記イオン移動度分光計は、ドリフト管と、前記ドリフト管の少なくとも一部に沿ってＤＣ軸電圧勾配を維持する一つ以上の電極と、を備える、及び／又は、（ｆ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、一つ以上の多重極ロッドセットを備える、及び／又は、（ｇ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、一つ以上の四重極、六重極、八重極、又は、それ以上の多重極ロッドセットを備える、及び／又は、（ｈ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、一つ以上の四重極、六重極、八重極、又は、それ以上の多重極ロッドセットを備え、前記一つ以上の多重極ロッドセットは、軸方向にセグメント化され、複数の軸方向セグメントを備える、及び／又は、（ｉ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、少なくとも５個、１０個、１５個、２０個、２５個、３０個、３５個、４０個、４５個、５０個、５５個、６０個、６５個、７０個、７５個、８０個、８５個、９０個、９５個、又は１００個の電極を備える、及び／又は、（ｊ）前記第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、前記第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、使用時にイオンを透過させる孔を備える、及び／又は、（ｋ）前記第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、前記第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ大きさ、又は、ほぼ同じ面積の孔を備える、及び／又は、（ｌ）前記第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ第１の大きさ、又は、ほぼ同じ第１の面積の孔を備える、及び／又は、前記第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、第１の大きさとは異なるほぼ同じ第２の大きさ、又は、第１の面積とは異なるほぼ同じ第２の面積の孔を備える、及び／又は、（ｍ）前記第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ第３の大きさ、又は、ほぼ同じ第３の面積の孔を備える、及び／又は、前記第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、第３の大きさとは異なるほぼ同じ第４の大きさ、又は、第３の面積とは異なるほぼ同じ第４の面積の孔を備える、及び／又は、（ｎ）前記第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、前記第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸に沿った方向に、次第に大きさ又は面積が大きくなる、及び／又は、小さくなる孔を備える、及び／又は、（ｏ）前記第１の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、前記第２の電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、（ｉ）１．０ｍｍ以下、（ｉｉ）２．０ｍｍ以下、（ｉｉｉ）３．０ｍｍ以下、（ｉｖ）４．０ｍｍ以下、（ｖ）５．０ｍｍ以下、（ｖｉ）６．０ｍｍ以下、（ｖｉｉ）７．０ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）８．０ｍｍ以下、（ｉｘ）９．０ｍｍ以下、（ｘ）１０．０ｍｍ以下、（ｘｉ）１０．０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される内径又は寸法を有する孔を備える、及び／又は、（ｐ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、複数の平板電極又はメッシュ電極を備え、前記平板電極又はメッシュ電極の少なくとも一部は、使用時にイオンが移動する平面内に配置される、及び／又は、（ｑ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、複数の平板電極又はメッシュ電極を備え、前記平板電極又はメッシュ電極の少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％は、使用時にイオンが移動する平面内に配置される、及び／又は、（ｒ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、少なくとも２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、又は２１個以上の平板電極又はメッシュ電極を備える、及び／又は、（ｓ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、少なくとも２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、２０個、又は２１個以上の平板電極又はメッシュ電極を備え、前記平板電極又はメッシュ電極にＡＣ電圧又はＲＦ電圧を供給し、隣接する平板電極又はメッシュ電極には逆相のＡＣ電圧又はＲＦ電圧を供給する、及び／又は、（ｔ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、複数の軸方向セグメント、すなわち、少なくとも５個、１０個、１５個、２０個、２５個、３０個、３５個、４０個、４５個、５０個、５５個、６０個、６５個、７０個、７５個、８０個、８５個、９０個、９５個、又は１００個の軸方向セグメントを備える、及び／又は、（ｕ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、さらに、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向長さの少なくとも一部に沿って、ほぼ一定のＤＣ電圧勾配を保持するＤＣ電圧手段を備える、装置。
請求項26
請求項２４又は２５に記載の装置であって、（ａ）前記第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％、及び／又は、前記第２の電極の少なくとも少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ円形、矩形、正方形、又は楕円形の孔を備える、及び／又は、（ｂ）前記第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ第１の大きさ、又は、ほぼ同じ第１の面積を有する孔を備え、及び／又は、前記第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、第１の大きさとは異なるほぼ同じ第２の大きさ、又は、第１の面積とは異なるほぼ同じ第２の面積を有する孔を備える、及び／又は、（ｃ）前記第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、ほぼ同じ第３の大きさ、又は、ほぼ同じ第３の面積を有する孔を備え、及び／又は、前記第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、第３の大きさとは異なるほぼ同じ第４の大きさ、又は、第３の面積とは異なるほぼ同じ第４の面積を有する孔を備える、及び／又は、（ｄ）前記第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％及び／又は前記第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸に沿った方向に、次第に大きさ又は面積が大きくなる、及び／又は、小さくなる孔を備える、及び／又は、（ｅ）前記第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％及び／又は前記第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、（ｉ）１．０ｍｍ以下、（ｉｉ）２．０ｍｍ以下、（ｉｉｉ）３．０ｍｍ以下、（ｉｖ）４．０ｍｍ以下、（ｖ）５．０ｍｍ以下、（ｖｉ）６．０ｍｍ以下、（ｖｉｉ）７．０ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）８．０ｍｍ以下、（ｉｘ）９．０ｍｍ以下、（ｘ）１０．０ｍｍ以下、（ｘｉ）１０．０ｍｍより大きい値、からなる群から選択される内径又は寸法を有する孔を備える、及び／又は、（ｆ）前記第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％及び／又は前記第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下、からなる群から選択される軸方向距離だけ互いに離れている、及び／又は、（ｇ）前記第１の電極の少なくとも一部及び／又は前記第２の電極の少なくとも一部は孔を備え、隣接する電極間の中心間軸方向距離に対する前記孔の内径又は寸法の比は、（ｉ）１．０未満の値、（ｉｉ）１．０から１．２の範囲の値、（ｉｉｉ）１．２から１．４の範囲の値、（ｉｖ）１．４から１．６の範囲の値、（ｖ）１．６から１．８の範囲の値、（ｖｉ）１．８から２．０の範囲の値、（ｖｉｉ）２．０から２．２の範囲の値、（ｖｉｉｉ）２．２から２．４の範囲の値、（ｉｘ）２．４から２．６の範囲の値、（ｘ）２．６から２．８の範囲の値、（ｘｉ）２．８から３．０の範囲の値、（ｘｉｉ）３．０から３．２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）３．２から３．４の範囲の値、（ｘｉｖ）３．４から３．６の範囲の値、（ｘｖ）３．６から３．８の範囲の値、（ｘｖｉ）３．８から４．０の範囲の値、（ｘｖｉｉ）４．０から４．２の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）４．２から４．４の範囲の値、（ｘｉｘ）４．４から４．６の範囲の値、（ｘｘ）４．６から４．８の範囲の値、（ｘｘｉ）４．８から５．０の範囲の値、（ｘｘｉｉ）５．０より大きい値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｈ）前記第１の電極の孔の内径及び／又は前記第２の電極の孔の内径は、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の長手方向の軸に沿って、少なくとも一回、次第に大きく、又は、次第に小さくなり、その後、次第に小さく、又は、次第に大きくなる、及び／又は、（ｉ）前記第１の電極及び／又は前記第２の電極は、幾何学量を規定し、前記幾何学量は、（ｉ）一つ以上の球体、（ｉｉ）一つ以上の扁平楕円体、（ｉｉｉ）一つ以上の扁長楕円体、（ｉｖ）一つ以上の楕円体、（ｖ）一つ以上の三軸楕円体、からなる群から選択される、及び／又は、（ｊ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、（ｉ）２０ｍｍ未満の値、（ｉｉ）２０から４０ｍｍの範囲の値、（ｉｉｉ）４０から６０ｍｍの範囲の値、（ｉｖ）６０から８０ｍｍの範囲の値、（ｖ）８０から１００ｍｍの範囲の値、（ｖｉ）１００から１２０ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉ）１２０から１４０ｍｍの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１４０から１６０ｍｍの範囲の値、（ｉｘ）１６０から１８０ｍｍの範囲の値、（ｘ）１８０から２００ｍｍの範囲の値、（ｘｉ）２００ｍｍより大きな値、からなる群から選択される長さを有する、及び／又は、（ｋ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、少なくとも（ｉ）１個から１０個の電極、（ｉｉ）１０個から２０個の電極、（ｉｉｉ）２０個から３０個の電極、（ｉｖ）３０個から４０個の電極、（ｖ）４０個から５０個の電極、（ｖｉ）５０個から６０個の電極、（ｖｉｉ）６０個から７０個の電極、（ｖｉｉｉ）７０個から８０個の電極、（ｉｘ）８０個から９０個の電極、（ｘ）９０個から１００個の電極、（ｘｉ）１００個から１１０個の電極、（ｘｉｉ）１１０個から１２０個の電極、（ｘｉｉｉ）１２０個から１３０個の電極、（ｘｉｖ）１３０個から１４０個の電極、（ｘｖ）１４０個から１５０個の電極、（ｘｖｉ）１５０個から１６０個の電極、（ｘｖｉｉ）１６０個から１７０個の電極、（ｘｖｉｉｉ）１７０個から１８０個の電極、（ｘｉｘ）１８０個から１９０個の電極、（ｘｘ）１９０個から２００個の電極、および（ｘｘｉ）２００個以上の電極を備える、及び／又は、（ｌ）前記第１の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％及び／又は前記第２の電極の少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％は、（ｉ）５ｍｍ以下、（ｉｉ）４．５ｍｍ以下、（ｉｉｉ）４ｍｍ以下、（ｉｖ）３．５ｍｍ以下、（ｖ）３ｍｍ以下、（ｖｉ）２．５ｍｍ以下、（ｖｉｉ）２ｍｍ以下、（ｖｉｉｉ）１．５ｍｍ以下、（ｉｘ）１ｍｍ以下、（ｘ）０．８ｍｍ以下、（ｘｉ）０．６ｍｍ以下、（ｘｉｉ）０．４ｍｍ以下、（ｘｉｉｉ）０．２ｍｍ以下、（ｘｉｖ）０．１ｍｍ以下、（ｘｖ）０．２５ｍｍ以下、からなる群から選択される厚み又は軸方向の長さを有する、及び／又は、（ｍ）前記第１の電極及び／又は前記第２の電極のピッチ又は軸方向の距離は、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の長手方向の軸に沿って、少なくとも一回、次第に小さくなる、又は、次第に大きくなる、装置。
請求項27
請求項２４、２５、２６のいずれかに記載の装置であって、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、さらに、（ｉ）前記第１の電極及び／又は前記第２の電極に対して、及び／又は補助電極に対して、一つ以上のＤＣ電圧を印加するデバイスであって、動作モードで、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも一部、もしくは、少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、ほぼ一定のＤＣ電圧勾配を保持するデバイス、及び／又は、（ｉｉ）前記第１の電極及び／又は前記第２の電極に対して、多相ＲＦ電圧を印加するデバイスであって、印加により、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも一部、もしくは、少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、少なくとも一部のイオンを移動させるデバイス、を備える、装置。
請求項28
請求項２４〜２７の何れかに記載の装置であって、さらに、第１のＲＦデバイスであって、前記第１の電極の少なくとも一部及び／又は前記第２の電極の少なくとも一部に対して、第１の周波数および第１の振幅を有する第１のＡＣ電圧又はＲＦ電圧を印加することにより、使用時に、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置内部で径方向にイオンを閉じ込めるように配置および構成される第１のＲＦデバイスを備え、（ａ）前記第１の周波数は、（ｉ）１００ｋＨｚ未満の値、（ｉｉ）１００から２００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｉｉ）２００から３００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｖ）３００から４００ｋＨｚの範囲の値、（ｖ）４００から５００ｋＨｚの範囲の値、（ｖｉ）０．５から１．０ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉ）１．０から１．５ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．５から２．０ＭＨｚの範囲の値、（ｉｘ）２．０から２．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘ）２．５から３．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉ）３．０から３．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉ）３．５から４．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉｉ）４．０から４．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｖ）４．５から５．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖ）５．０から５．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉ）５．５から６．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉ）６．０から６．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）６．５から７．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｘ）７．０から７．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘ）７．５から８．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉ）８．０から８．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉ）８．５から９．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）９．０から９．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｖ）９．５から１０．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｖ）１０．０ＭＨｚより大きい値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｂ）前記第１の振幅は、（ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋｔｏｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ）４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｃ）動作モードにおいて、前記第１の電極及び／又は前記第２の電極のうち隣接又は近接する電極に、逆位相の前記第１のＡＣ電圧又はＲＦ電圧を供給する、及び／又は、（ｄ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、１から１０の電極群、１０から２０の電極群、２０から３０の電極群、３０から４０の電極群、４０から５０の電極群、５０から６０の電極群、６０から７０の電極群、７０から８０の電極群、８０から９０の電極群、９０から１００の電極群、又は、１００より多い電極群を備え、各電極群には、少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、又は２０個の電極が含まれ、各電極群の少なくとも１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、１４個、１５個、１６個、１７個、１８個、１９個、又は２０個の電極に同一位相の前記第１のＡＣ電圧又はＲＦ電圧を供給する、装置。
請求項29
請求項２８に記載の装置であって、さらに、期間ｔ1にわたって、前記第１の振幅を、ｘ1ＭＨｚだけ、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変化させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的若しくは他の方法で増大させる、又は、段階的、漸進的若しくは他の方法で減少させるように配置および構成されるデバイスを備え、ここで、ｘ1は、（ｉ）１００ｋＨｚ未満の値、（ｉｉ）１００から２００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｉｉ）２００から３００ｋＨｚの範囲の値、（ｉｖ）３００から４００ｋＨｚの範囲の値、（ｖ）４００から５００ｋＨｚの範囲の値、（ｖｉ）０．５から１．０ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉ）１．０から１．５ＭＨｚの範囲の値、（ｖｉｉｉ）１．５から２．０ＭＨｚの範囲の値、（ｉｘ）２．０から２．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘ）２．５から３．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉ）３．０から３．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉ）３．５から４．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｉｉ）４．０から４．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｖ）４．５から５．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖ）５．０から５．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉ）５．５から６．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉ）６．０から６．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）６．５から７．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｉｘ）７．０から７．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘ）７．５から８．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉ）８．０から８．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉ）８．５から９．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）９．０から９．５ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｉｖ）９．５から１０．０ＭＨｚの範囲の値、（ｘｘｖ）１０．０ＭＨｚより大きい値、からなる群から選択され、ｔ1は、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される、装置。
請求項30
請求項２４〜２９のいずれかに記載の装置であって、さらに、前記第１の電極及び／又は前記第２の電極に対して、第２の振幅、高さ、若しくは深さを有する一つ以上の過渡ＤＣ電圧若しくは電位、又は、一つ以上の過渡ＤＣ電圧波形若しくは電位波形を印加するデバイスであって、前記印加により、前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも一部、もしくは、少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、少なくとも一部のイオンを移動させるデバイスを備える、装置。
請求項31
請求項３０記載の装置であって、さらに、期間ｔ2にわたって、前記第２の振幅、高さ、又は深さを、ｘ2ボルトだけ、変化させる、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変化させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的若しくは他の方法で増大させる、又は、段階的、漸進的若しくは他の方法で減少させるように配置および構成されるデバイスを備え、ここで、ｘ2は、（ｉ）５０Ｖより小さいピークピーク値（ｐｅａｋｔｏｐｅａｋ）、（ｉｉ）５０Ｖから１００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｉｉ）１００Ｖから１５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｖ）１５０Ｖから２００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖ）２００Ｖから２５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉ）２５０Ｖから３００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉ）３００Ｖから３５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｖｉｉｉ）３５０Ｖから４００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｉｘ）４００Ｖから４５０Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘ）４５０Ｖから５００Ｖの範囲のピークピーク値、（ｘｉ）５００Ｖより大きいピークピーク値、からなる群から選択され、ｔ2は、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される、装置。
請求項32
請求項３０又は３１に記載の装置であって、さらに、期間ｔ3にわたって、前記一つ以上の過渡ＤＣ電圧若しくは電位、又は、前記一つ以上の過渡ＤＣ電圧波形若しくは電位波形を前記第１の電極及び／又は前記電極に対して印加する速度すなわち変化率、又は、平行移動させる速度すなわち変化率をｘ3ｍ／ｓだけ、変化させる、漸次増大させる、漸次減少させる、漸次変化させる、スキャンする、直線的に増加させる、直線的に減少させる、段階的、漸進的若しくは他の方法で増大させる、又は、段階的、漸進的若しくは他の方法で減少させるように配置および構成されるデバイスを備え、ここで、ｘ3は、（ｉ）１未満の値、（ｉｉ）１から２の範囲の値、（ｉｉｉ）２から３の範囲の値、（ｉｖ）３から４の範囲の値、（ｖ）４から５の範囲の値、（ｖｉ）５から６の範囲の値、（ｖｉｉ）６から７の範囲の値、（ｖｉｉｉ）７から８の範囲の値、（ｉｘ）８から９の範囲の値、（ｘ）９から１０の範囲の値、（ｘｉ）１０から１１の範囲の値、（ｘｉｉ）１１から１２の範囲の値、（ｘｉｉｉ）１２から１３の範囲の値、（ｘｉｖ）１３から１４の範囲の値、（ｘｖ）１４から１５の範囲の値、（ｘｖｉ）１５から１６の範囲の値、（ｘｖｉｉ）１６から１７の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）１７から１８の範囲の値、（ｘｉｘ）１８から１９の範囲の値、（ｘｘ）１９から２０の範囲の値、（ｘｘｉ）２０から３０の範囲の値、（ｘｘｉｉ）３０から４０の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）４０から５０の範囲の値、（ｘｘｉｖ）５０から６０の範囲の値、（ｘｘｖ）６０から７０の範囲の値、（ｘｘｖｉ）７０から８０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）８０から９０の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）９０から１００の範囲の値、（ｘｘｉｘ）１００から１５０の範囲の値、（ｘｘｘ）１５０から２００の範囲の値、（ｘｘｘｉ）２００から２５０の範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）２５０から３００の範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）３００から３５０の範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）３５０から４００の範囲の値、（ｘｘｘｖ）４００から４５０の範囲の値、（ｘｘｘｖｉ）４５０から５００の範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉ）５００から６００の範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉｉ）６００から７００の範囲の値、（ｘｘｘｉｘ）７００から８００の範囲の値、（ｘｌ）８００から９００の範囲の値、（ｘｌｉ）９００から１０００の範囲の値、（ｘｌｉｉ）１０００から２０００の範囲の値、（ｘｌｉｉｉ）２０００から３０００の範囲の値、（ｘｌｉｖ）３０００から４０００の範囲の値、（ｘｌｖ）４０００から５０００の範囲の値、（ｘｌｖｉ）５０００から６０００の範囲の値、（ｘｌｖｉｉ）６０００から７０００の範囲の値、（ｘｌｖｉｉｉ）７０００から８０００の範囲の値、（ｘｌｉｘ）８０００から９０００の範囲の値、（ｌ）９０００から１００００の範囲の値、（ｌｉ）１００００より大きい値、からなる群から選択され、ｔ3は、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択される、装置。
請求項33
請求項２４〜３２のいずれかに記載の装置であって、さらに、（ｉ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、線形軸方向ＤＣ電場を形成する、又は、（ｉｉ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置の軸方向の長さの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％に沿って、非線形又は段階式軸方向ＤＣ電場を形成する、ように配置および構成されるデバイスを備える、装置。
請求項34
請求項２４〜３３のいずれかに記載の装置であって、（ａ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置を通過するイオンの少なくとも１％、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、又は１００％の滞留時間、走行時間、又は反応時間が、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から５ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）５から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）１０から１５ミリ秒の範囲の値、（ｖ）１５から２０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）２０から２５ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）２５から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）３０から３５ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）３５から４０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）４０から４５ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）４５から５０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）５０から５５ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）５５から６０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）６０から６５ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）６５から７０ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）７０から７５ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）７５から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）８０から８５ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８５から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９０から９５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）９５から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）１００から１０５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）１０５から１１０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）１１０から１１５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｖ）１１５から１２０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｖｉ）１２０から１２５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｖｉｉ）１２５から１３０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｖｉｉｉ）１３０から１３５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉｘ）１３５から１４０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘ）１４０から１４５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉ）１４５から１５０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉｉ）１５０から１５５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉｉｉ）１５５から１６０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉｖ）１６０から１６５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｖ）１６５から１７０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｖｉ）１７０から１７５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉ）１７５から１８０ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｖｉｉｉ）１８０から１８５ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｘｉｘ）１８５から１９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｌ）１９０から１９５ミリ秒の範囲の値、（ｘｌｉ）１９５から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｌｉｉ）２００ミリ秒より長い値、からなる群から選択される、及び／又は、（ｂ）前記イオン移動度分光計及び／又は前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置は、（ｉ）１ミリ秒より短い値、（ｉｉ）１から１０ミリ秒の範囲の値、（ｉｉｉ）１０から２０ミリ秒の範囲の値、（ｉｖ）２０から３０ミリ秒の範囲の値、（ｖ）３０から４０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉ）４０から５０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉ）５０から６０ミリ秒の範囲の値、（ｖｉｉｉ）６０から７０ミリ秒の範囲の値、（ｉｘ）７０から８０ミリ秒の範囲の値、（ｘ）８０から９０ミリ秒の範囲の値、（ｘｉ）９０から１００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉ）１００から２００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｉｉ）２００から３００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｖ）３００から４００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖ）４００から５００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉ）５００から６００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉ）６００から７００ミリ秒の範囲の値、（ｘｖｉｉｉ）７００から８００ミリ秒の範囲の値、（ｘｉｘ）８００から９００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘ）９００から１０００ミリ秒の範囲の値、（ｘｘｉ）１から２秒の範囲の値、（ｘｘｉｉ）２から３秒の範囲の値、（ｘｘｉｉｉ）３から４秒の範囲の値、（ｘｘｉｖ）４から５秒の範囲の値、および（ｘｘｖ）５秒より長い値、からなる群から選択されるサイクルタイムを有する、装置。
請求項35
イオン移動度分光計用のイオン検出器であって、前記イオン検出器が、ガス電子増幅イオン検出器を備える、イオン検出器。
請求項36
イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置用のイオン検出器であって、前記イオン検出器が、ガス電子増幅イオン検出器を備える、イオン検出器。
請求項37
質量分析器用のイオン検出器であって、前記イオン検出器が、ガス電子増幅イオン検出器を備える、イオン検出器。
請求項38
請求項３５、３６、３７のいずれかに記載のイオン検出器であって、前記イオン検出器が、少なくとも第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段と、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段に隣接して配置される、及び／又は、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段に対向して配置される、一つ以上の電極、対向電極、又はカソードと、を備えるイオン検出器。
請求項39
イオンの検出方法であって、イオンをイオン移動度分光計に通す工程と、前記イオン移動度分光計から出てくるイオンの少なくとも一部を、ガス電子増幅イオン検出器を用いて検出する工程と、を備えるイオンの検出方法。
請求項40
イオンの検出方法であって、イオンをイオンフラグメンテーション又はイオン反応装置に通す工程と、前記イオンフラグメンテーション又はイオン反応装置から出てくるイオンの少なくとも一部を、ガス電子増幅イオン検出器を用いて検出する工程と、を備えるイオンの検出方法。
請求項41
イオンの検出方法であって、質量分析器でイオンの質量分析を行う工程と、前記質量分析器内のイオンの少なくとも一部を、ガス電子増幅イオン検出器を用いて検出する工程と、を備えるイオンの検出方法。
請求項42
請求項３９、４０、４１のいずれかに記載の方法であって、さらに、少なくとも第１の箔層、第１の基板、又は、第１のガス電子増幅段と、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段に隣接して配置される、及び／又は、前記第１の箔層、前記第１の基板、又は、前記第１のガス電子増幅段に対向して配置される、一つ以上の電極、対向電極、又はカソードと、を備えるイオン検出器を準備する工程を備える方法。